[发明专利]基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统及其修复方法

权利要求书

1.一种基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统，其特征在于所述系统包括

垂直阻隔墙，所述垂直阻隔墙布设于污染区周围，用于将受污染地下水阻隔于所述垂直阻隔墙内；

抽水单元，所述抽水单元包括位于垂直阻隔墙内侧的若干抽水管，用于将污染区地下水抽出，为污染物流经垂直处理系统提供压差；

所述抽水管开筛范围上端高于NAPL污染深度上端300mm，下端低于NAPL污染深度下端300mm，抽水管管径为200~300mm；

垂直处理单元，设置于污染区内靠近抽水单元侧，包括垂直填料区和垂直过滤区，所述垂直填料区用于对受污染地下水进行处理以去除NAPL，所述垂直过滤区紧邻垂直填料区位于地下水上游用于过滤地下水中颗粒物以提高填料区的去除效率；

所述垂直填料区深度范围上端高于NAPL污染深度上端200mm，下端低于NAPL污染深度下端200mm，所述垂直填料区上端未到地面区域采用垂直阻隔墙阻隔，所述垂直填料区下端未到隔水底板区域采用垂直阻隔墙阻隔；

回灌单元，所述回灌单元包括若干回灌井管，通过所述若干回灌井管将经所述垂直处理单元处理后的水抽出回灌至污染区目标含水层。

2.根据权利要求1所述的基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统，其特征在于：所

述若干回灌井管以紧贴所述垂直阻隔墙的方式设置于所述污染区一侧的垂直阻隔墙朝向污染区一侧，所述抽水单元以紧贴所述垂直阻隔墙的方式设置于所述污染区另一侧的垂直阻隔墙朝向污染区一侧。

3.根据权利要求1所述的基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统，其特征在于：所述垂直阻隔墙的上端超出地表面300mm~500mm，不低于抽水井井台，下端埋设在受污染区含水层隔水底板内，折叠100mm以防地基变形的影响，所述垂直阻隔墙为HDPE土工膜。

4.根据权利要求1所述的基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统，其特征在于：所述垂直填料区填料厚度与区域地下水污染物浓度的对数成正比。

5.根据权利要求3所述的基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统，其特征在于：所述回灌井管不开设筛孔，所述回灌井管的上端与所述垂直阻隔墙的上边缘齐平，下端位于NAPL污染深度下端500mm处，所述回灌井管的管径为20~40mm，所述回灌井管的布设间距与区域地下水污染物浓度的算术平方根成反比，且最大井管间距为5m。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统的修复方法，其特征在于：所述修复方法包括以下步骤：

（1）根据污染面积、污染深度和污染程度布设所述垂直阻隔墙、垂直处理单元、抽水单元和回灌单元；

（2）将受污染地下水通过所述抽水单元抽出，场地内NAPL污染物受水力作用流经设定深度的垂直处理单元处理以去除NAPL；

（3）向经所述抽水单元抽出的地下水加入表面活性剂后，通过所述回灌单元进入目标含水层并间隔一段时间，增强土壤含水层中NAPL的溶出；

（4）重复进行步骤（2）至（3）的处理，以循环往复地溶出处理NAPL。

7.如权利要求6所述的基于污染阻控的地下水中NAPL污染修复系统的修复方法，其特征在于：所述垂直阻隔墙布设于污染区周围；所述抽水单元包括位于污染区一侧的垂直阻隔墙内侧的若干抽水管；垂直处理单元设置于污染区内靠近抽水单元侧，包括垂直填料区和垂直过滤区，所述垂直填料区用于对受污染地下水进行处理以去除NAPL，所述垂直过滤区紧邻垂直填料区位于地下水上游用于过滤地下水中颗粒物以提高填料区的去除效率；所述回灌单元包括位于污染区另一侧的垂直阻隔墙内侧的若干回灌井管。