[发明专利]一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法在审
| 申请号： | 202010500927.7 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111745468A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 卓俊辉;谢绍棕;孔令沂;姚晓杰;李锡光;邹雄辉 | 申请（专利权）人： | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 谢树宏 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 金刚石 抛光 碳化硅 晶片 快速 方法 | ||
1.一种采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：
将SiC晶片装好在放置装置的无蜡吸附垫上；
在抛光垫上涂抹0.1～0.5mm厚度的金刚石抛光膏，金刚石抛光膏的粒径为0.2～1.0μm；
将所述放置装置放置于抛光设备上，将所述抛光设备的磨抛压力设置为25～255g/cm2、抛光盘转速为30～60rpm，抛光头转速为10～55rpm；
往所述抛光盘中加入流量为1～20ml/min的液体对所述SiC晶片执行抛光操作，且每间隔20～60分钟补涂所述金刚石抛光膏至0.1～0.5mm的厚度；
对SiC晶片进行清洗及检测，抛光完毕。
2.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述金刚石抛光膏为水性，此时，所述液体为水。
3.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述金刚石抛光膏为油性，此时，所述液体为甘油。
4.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述金刚石抛光膏为两性，此时，所述液体为甘油或水。
5.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述抛光垫为合成纤维聚合物抛光垫。
6.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述SiC的C面紧贴所述吸附垫，所述SiC的Si面紧贴所述抛光垫。
7.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述放置装置为夹具或陶瓷盘。
8.如权利要求1所述的采用金刚石抛光膏的碳化硅晶片快速抛光方法，其特征在于，所述碳化硅晶片快速抛光方法的抛光时间为0.1～1小时。
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