[发明专利]半导体设备及工件状态检测方法在审
| 申请号: | 202010499113.6 | 申请日: | 2020-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN111640685A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
| 发明(设计)人: | 张明;许璐 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体设备 工件 状态 检测 方法 | ||
本发明提供一种半导体设备及工件状态检测方法,半导体设备包括包括承载装置和至少三个检测单元,其中,该承载装置用于将待测工件固定在其承载面上;至少三个检测单元所在的最小圆面与承载面同轴,其中,最小圆面的直径小于待测工件的直径;各检测单元用于实时检测各自与待测工件之间的竖直间距,以使控制单元能够根据各检测单元检测的竖直间距,判断待测工件的状态。本发明提供的半导体设备及工件状态检测方法的技术方案,不仅检测单元的安装简单,系统容错性较好,而且可以实现对诸如待测工件高度、水平度以及在工艺过程中诸如是否碎片、旋转平稳度等的待测工件状态。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体地,涉及一种半导体设备及工件状态检测方法。
背景技术
集成电路制造过程中的晶圆清洗是指在氧化、光刻、外延、扩散等工序前,采用物理或化学方法去除晶圆表面的污染物和自身氧化物,以得到符合清洁度要求的晶圆表面的过程。清洗工艺涉及到多种不同的关键环节,因此,晶圆清洗质量的好坏对器件性能有重要的影响。在金属互连工艺过程中,晶圆背面很难避免附着有金属残留,该金属残留如果得不到有效去除,对接下来的掩膜光刻工艺结果会产生颠覆性影响。因此,对晶圆背面清洗设备的要求也要相应提高。
目前,晶圆背面的清洗设备的承载装置不仅可以夹持固定晶圆,且该晶圆能够在背吹气体(例如氮气)的作用下悬浮在承载装置上方,以便于机械手执行取放动作,同时保证机械手不会接触朝下的晶圆正面。晶圆的悬浮高度需要满足机械手的可抓取条件,按照一般设计,晶圆的悬浮位置距离承载装置的承载面的高度为3.5mm,且晶圆需要水平升起,不允许存在较大倾斜。这就需要对晶圆的悬浮高度和水平度进行检测,以确保机械手能够成功取放晶圆。
如图1和图2所示,现有的清洗设备采用两组对射式的光电传感器(1,2)检测晶圆的悬浮高度,两组光电传感器(1,2)交叉安装在承载装置的外侧,且固定在距离承载面一定高度的位置处,当两组光电传感器(1,2)被触发时,可以确认晶圆当前位于悬浮位置。
但是,上述检测方式在实际应用中不可避免地存在以下问题:
其一,对光电传感器的安装位置的精度有很高要求,安装难度较大,且不便于位置调整。
其二,由于只有晶圆恰好到达悬浮高度时,才能够触发传感器,当晶圆的高度因背吹气体的压力或流量波动而在合理范围内变化时,传感器不能完全触发,导致对机械手的取放允许条件苛刻,系统运行的容错性较差。
其三,上述测试方式只能检测晶圆是否满足取放条件,而无法检测晶圆水平度,尤其无法检测在工艺过程中诸如是否碎片、旋转平稳度等的晶圆状态。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种半导体设备及工件状态检测方法,其不仅检测单元的安装简单,系统容错性较好,而且可以实现对诸如待测工件高度、水平度以及在工艺过程中诸如是否碎片、旋转平稳度等的待测工件状态的检测。
为实现上述目的,本发明提供了一种半导体设备,包括承载装置,所述承载装置用于将待测工件固定在其承载面上,还包括至少三个检测单元,所述至少三个检测单元所在的最小圆面与所述承载面同轴,其中,所述最小圆面的直径小于所述待测工件的直径;
各所述检测单元用于实时检测各自与所述待测工件之间的竖直间距,以使控制单元能够根据各所述检测单元检测的所述竖直间距,判断所述待测工件的状态。
可选的,所述至少三个检测单元在所述最小圆面上均匀分布。
可选的,所述至少三个检测单元均位于所述承载面的上方,以能够自上而下向所述待测工件发送检测信号,所述检测信号用于检测所述竖直间距。
可选的,各所述检测单元包括非接触式距离传感器。
可选的,所述半导体设备包括清洗设备。
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