[发明专利]一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路

说明书

本发明公开了一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接；本发明彻底消除静电释放器件部分带来的对地寄生电容，从而大大降低高频信号传输衰减。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路器件技术领域，更具体的说是涉及一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路。

背景技术

目前，高速开关集成电路(IC)是在移动便携式设备中广泛用到的一类集成电路，例如移动产业处理器接口开关、USB2.0、USB3.0开关等等。

但是，高速开关通道的静电释放器件保护方案通常都是二极管保护方案，现有技术的保护方案参见附图1所示，其中1为高速开关的输入节点，2为输出节点，5为NMOS开关管，6为与NMOS开关管5并联的PMOS开关管，它们的源漏端就分别接在了1和2电路节点上，3为输入端的静电释放器件保护器件，4为输出端的静电释放器件保护器件，7和8分别为NMOS源和漏端到NMOS体端的寄生二极管，9为NMOS体端节点。10和11分别为NMOS源和漏端到PMOS体端的寄生二极管，12为PMOS体端节点。当正常工作，高速信号经过图1开关通路时，从输入结点到输出结点的路径上，会直接产生开关管对地寄生电容和额外的3和4的静电释放器件保护器件寄生电容，从而影响电路的整体性能。

因此，如何提供一种能够完全消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，实现高速通道的输入和输出管脚完全看不到静电释放器件的寄生电容，彻底消除静电释放器件部分带来的对地寄生电容，从而大大降低高频信号传输衰减，提升了高速开关的带宽。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；

所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接。

采用上述装置的有益效果为：在第一开关管的体区结点上，增加了第一保护管，在第二开关管的体区结点上，增加了第二保护管；当电路正常工作时，高速信号从输入结点到输出结点的路径上，消除了由于额外保护器件带来的寄生电容。

优选的，还包括：第一寄生管及第二寄生管，位于所述第一开关管的源极与体区节点之间及漏极与体区节点之间，分别为第一开关管自身的源极与体区及漏极与体区之间的寄生二极管。

优选的，还包括：第三寄生管及第四寄生管，位于所述第二开关管的源极与体区节点之间及漏极与体区节点之间，分别为第二开关管自身的源极与体区及漏极与体区之间的寄生二极管。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，利用开关固有的体区和源极以及体区和漏极的寄生二极管，在体区加入静电释放器件保护器件，使得高速通道上输入结点和输出结点不需要直接连接任何静电释放器件管即可以实现双向保护在输入和输出端均消除了额外的静电释放器件寄生电容，而由于静电释放器件电容是影响高速开关带宽的主要因素之一，可以大大减少开关通道对地寄生电容，从而有效提升通道的信号带宽的同时不增加工艺和电路难度。

附图说明