[发明专利]一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路在审
| 申请号： | 202010496647.3 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111508952A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;鞠建宏;倪胜中 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 静电 释放 器件 寄生 电容 高速 开关电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第一保护管及第二保护管；
所述第一开关管与所述第二开关管并联，所述第一保护管设置于所述第一开关管的体区结点，所述第二保护管设置于所述第二开关管的体区结点，且所述第一保护管与所述第二保护管连接。
2.根据权利要求1所述的一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，其特征在于，还包括：第一寄生管及第二寄生管，所述第一寄生管及所述第二寄生管位于所述第一开关管的源极与体区节点之间及漏极与体区节点之间。
3.根据权利要求1所述的一种消除静电释放器件寄生电容的高速开关电路，其特征在于，还包括：第三寄生管及第四寄生管，所述第三寄生管及所述第四寄生管位于所述第二开关管的源极与体区节点之间及漏极与体区节点之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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