[发明专利]一种恒流驱动电路有效
申请号: | 202010493511.7 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN111601429B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 汤玉玲;吉博 | 申请(专利权)人: | 西安中颖电子有限公司 |
主分类号: | H05B45/345 | 分类号: | H05B45/345 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 电路 | ||
1.一种恒流驱动电路,其特征在于,所述恒流驱动电路中不采用P型场效应晶体管进行电流输出,所述恒流驱动电路包括:
电压基准源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、运算放大器、第一N型场效应晶体管、第二N型场效应晶体管、第三N型场效应晶体管、第四N型场效应晶体管、反馈电阻、温补电流源;
所述第一电阻的第一端与电源电压耦接,其第二端与所述运算放大器的反向输入端耦接,同时还与第二电阻的第一端耦接;第二电阻的第二端与地耦接;
所述第三电阻的第一端与所述电压基准源耦接,其第二端与所述运算放大器的同向输入端以及第四电阻的第一端耦接;所述反馈电阻的第一端与所述电源电压耦接;
所述第一N型场效应晶体管的源极与第二N型场效应晶体管的漏极耦接,栅极与第三N型场效应晶体管的栅极耦接,漏极与所述反馈电阻的第二端以及第四电阻的第二端耦接;
所述第二N型场效应晶体管的源极与地耦接,栅极与所述运算放大器的输出端耦接,漏极与第一N型场效应晶体管的源极耦接;
所述第三N型场效应晶体管的源极与第四N型场效应晶体管的漏极耦接,栅极与第一N型场效应晶体管的栅极耦接,漏极与自己的栅极耦接,且漏极还与所述温补电流源耦接;
所述第四N型场效应晶体管的源极与地耦接,栅极与第二N型场效应晶体管的栅极耦接,且该栅极还与所述运算放大器的输出端耦接,第四N型场效应晶体管的漏极与第三N型场效应晶体管的源极耦接,且该漏极与所述恒流驱动电路的电流输出端口耦接;
所述温补电流源与第三N型场效应晶体管的漏极耦接,所述温补电流源生成同基准电流的温度变化趋势相同但斜率为所述基准电流的斜率的N+1倍的电流源,以抵消所述反馈电阻随温度变化而导致的恒流源变化。
2.如权利要求1所述的恒流驱动电路,其特征在于,所述第一N型场效应晶体管既用于将基准电压转换成所述基准电流,又用于反馈电流输出端的电压。
3.如权利要求1所述的恒流驱动电路,其特征在于,在所述第一电阻和第二电阻的阻值相同且所述第三电阻和第四电阻的阻值相同的情况下,流入第一N型场效应晶体管的所述基准电流IREF=VREF/R0-(VDD-2VREF)/(2*R2),其中,VREF为基准电压源的电压,R0为反馈电阻的阻值,VDD为电源电压,R2为第三和第四电阻的阻值。
4.如权利要求3所述的恒流驱动电路,其特征在于,在R2R0的情况下,所述基准电流IREF≈VREF/R0。
5.如权利要求1所述的恒流驱动电路,其特征在于,所述电流输出端口的输出电流不随温度而变化。
6.如权利要求1所述的恒流驱动电路,其特征在于,所述第一N型场效应晶体管的源极电压与所述恒流驱动电路的输出端的电压保持相同。
7.如权利要求1所述的恒流驱动电路,其特征在于,所述恒流驱动电路用于为LED提供电流源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安中颖电子有限公司,未经西安中颖电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010493511.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。