[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片包括第一部分和第二部分，且所述半导体衬底还包括覆盖所述鳍片第二部分侧壁和顶面的介质层、覆盖部分所述介质层的栅极层以及覆盖所述栅极层顶面的硬掩膜层；

在所述栅极层侧壁和所述硬掩膜层顶面及侧壁，以及所述介质层表面形成侧墙材料层；

在所述侧墙材料层表面形成牺牲层；

刻蚀所述牺牲层，所述侧墙材料层，所述介质层以及所述鳍片，在所述栅极层两侧的鳍片中形成开口，去除所述硬掩膜层顶面上的牺牲层和侧墙材料层；

在所述开口中生长外延层；

去除所述牺牲层。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括覆盖所述鳍片第一部分侧壁的隔离结构，所述隔离结构顶面与所述鳍片第一部分顶面共面。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的底部低于所述隔离结构顶面。

4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅，所述侧墙材料层的材料包括氮化硅、低K值氮化硅或氮化硅与低K值氮化硅混合层。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氮化硅，所述侧墙材料层的材料包括低K值氮化硅。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为2纳米至6纳米。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口的方法包括干法刻蚀。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的方法包括湿法刻蚀。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀溶液包括磷酸或氢氟酸。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述外延层的顶面高于所述鳍片顶面，低于所述介质层顶面。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片包括第一部分和第二部分，且所述半导体衬底还包括覆盖所述鳍片第二部分侧壁和顶面的介质层、覆盖部分所述介质层的栅极层以及覆盖所述栅极层顶面的硬掩膜层；

侧墙，位于所述栅极层侧壁；

外延层，位于所述栅极层两侧的鳍片中且凸出所述鳍片，其中，所述外延层凸出所述鳍片的部分与所述栅极层之间存在空隙。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底还包括覆盖所述鳍片第一部分侧壁的隔离结构，所述隔离结构顶面与所述鳍片第一部分顶面共面。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层的底部低于所述隔离结构顶面。

14.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层凸出所述鳍片的部分与所述栅极层之间的空隙的宽度为2纳米至6纳米。

15.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述外延层的顶面高于所述鳍片顶面，低于所述介质层顶面。