[发明专利]包括嵌入式半导体器件的半导体封装件

说明书

提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括封装件衬底。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内，并且埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上，并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年8月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0098346的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及半导体封装件，并且更具体地说，涉及一种包括嵌入式半导体器件的半导体封装件。

背景技术

要求半导体器件具有高存储容量，同时要求包括半导体器件的半导体封装件轻且薄。已经对在半导体封装件中包括具有各种功能的半导体器件并对快速驱动半导体器件进行了研究。例如，已经对其中第二半导体器件安装在第一半导体器件上的半导体封装件的配置进行了积极的研究。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种包括封装件衬底的半导体封装件。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内并且至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种包括封装件衬底的半导体封装件。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有内部空间。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的内部空间内并且至少部分地被封装件衬底包围。嵌入式半导体器件包括第一衬底、布置在第一衬底上第一有源层和布置在第一有源层上的第一芯片焊盘。埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上。安装式半导体器件连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。安装式半导体器件的下表面的一部分在竖直方向上与包括第一有源层的嵌入式半导体器件的上表面的一部分重叠。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种堆叠封装(package-on-package，PoP)型半导体封装件，其包括下半导体封装件。上半导体封装件布置在下半导体封装件上。下半导体封装件包括封装件衬底，其包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层，并且具有暴露出衬底图案的一部分的凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上，并且穿通电极穿通第一衬底并且将第一有源层连接至经凹槽暴露的衬底图案。安装式半导体器件布置在封装件衬底上并且将封装件衬底与嵌入式半导体器件连接。导电柱布置在封装件衬底上，并且电连接至衬底图案。模塑材料布置在封装件衬底上，并且至少部分地包围导电柱和安装式半导体器件，并且暴露出导电柱的一部分。插入件布置在模塑材料上。插入件包括插入件衬底。插入件连接端子布置在插入件衬底下方，并且接触导电柱。