[发明专利]在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

下电极结构的第一部分，位于基底上；

第一支撑图案，与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触；

下电极结构的第二部分，位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上；

上电极，位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上；以及

介电层，位于上电极与下电极结构的第二部分之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，下电极结构的第一部分包括：上部分，向上突出超过第一支撑图案的顶表面；以及下部分，位于基底与第一支撑图案之间的水平处，

其中，下电极结构的第二部分包括：第一下电极图案，位于所述上部分的表面上；以及第二下电极图案，位于所述下部分的表面上，

其中，第一下电极图案与第二下电极图案物理间隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，介电层与下电极结构的第二部分接触，并且

其中，介电层与第一支撑图案的顶表面和底表面接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，介电层在上电极与第一支撑图案的顶表面之间、上电极与第一支撑图案的底表面之间和上电极与第一支撑图案的侧壁之间延伸，并且

其中，介电层的位于第一支撑图案的顶表面、侧壁和底表面上的部分具有平坦的表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

金属残留图案，位于第一支撑图案的顶表面、底表面和侧壁上，

其中，金属残留图案与下电极结构的第二部分间隔开，并且

其中，当在剖视图中观察时，金属残留图案具有半球形状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

金属残留图案，位于第一支撑图案的顶表面、底表面和侧壁上，

其中，金属残留图案彼此间隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，下电极结构的第一部分包括包含钛的第一金属氮化物，并且

其中，下电极结构的第二部分包括包含铌的第二金属氮化物、包含铌的金属氧化物或包含铌的金属氮氧化物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

金属氧化物图案，位于下电极结构的第二部分与介电层之间，

其中，金属氧化物图案包括铌。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一支撑图案包括氧化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，下电极结构的第二部分包括氟。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二支撑图案，位于第一支撑图案上，并与下电极结构的第一部分的侧壁的第三部分接触，

其中，第二支撑图案与第一支撑图案竖直地间隔开，并且

其中，第二支撑图案的顶表面与下电极结构的第一部分的顶表面共面。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二支撑图案，位于第一支撑图案上，并与下电极结构的第一部分的侧壁的第三部分接触，

其中，第二支撑图案与第一支撑图案竖直地间隔开，

其中，下电极结构的第一部分的上部分向上突出超过第二支撑图案的顶表面，并且

其中，下电极结构的第一部分具有恒定的宽度。