[发明专利]在下电极结构上包括支撑图案的半导体器件

说明书

提供了半导体器件。半导体器件包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。

本申请要求于2019年8月29日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0106808号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体器件及制造该半导体器件的方法，更具体地，涉及具有改善的电特性和可靠性的半导体器件及制造该半导体器件的方法。

背景技术

在电子产业(例如，便携式电话和笔记本计算机/平板计算机)中，已经越来越需求轻质、小型、高速、多功能、高性能、高可靠性和低价格的电子组件。为了满足这些需求，可以增加半导体存储器器件的集成密度，并且可以提高半导体存储器器件的性能。

可以增加电容器的电容，以改善包括电容器的高度集成的半导体存储器器件的可靠性。电容器的电容可以随着电容器的介电层的介电常数增加而增加。因此，已经对用于形成具有高介电常数的电容器的工艺技术进行了各种研究。

发明内容

发明构思的实施例可以提供一种具有改善的电特性和可靠性的半导体器件。

发明构思的实施例还可以提供一种制造具有改善的电特性和可靠性的半导体器件的方法。

在一些实施例中，半导体器件可以包括下电极结构的第一部分，下电极结构的第一部分位于基底上。半导体器件可以包括第一支撑图案，第一支撑图案与下电极结构的第一部分的侧壁的第一部分接触。半导体器件可以包括下电极结构的第二部分，下电极结构的第二部分位于下电极结构的第一部分的侧壁的第二部分上。半导体器件可以包括上电极，上电极位于下电极结构的第二部分上和第一支撑图案上。此外，半导体器件可以包括介电层，介电层位于上电极与下电极结构的第二部分之间。

在一些实施例中，半导体器件可以包括下电极结构，下电极结构包括位于基底上的第一部分和位于第一部分的表面上的第二部分。半导体器件可以包括支撑图案，支撑图案位于下电极结构的第一部分的侧壁上。半导体器件可以包括上电极，上电极位于下电极结构上和支撑图案上。此外，半导体器件可以包括介电层，介电层位于下电极结构与上电极之间及支撑图案与上电极之间。下电极结构的第二部分可以包括铌和氟，下电极结构的第二部分还可以包括氧和氮中的至少一种。

在一些实施例中，半导体器件可以包括下电极结构，下电极结构包括位于基底上的第一导电部分和位于第一导电部分的表面上的第二导电部分。半导体器件可以包括支撑图案，支撑图案接触下电极结构的侧壁。下电极结构的第二导电部分可以不存在于支撑图案的表面，或者可以在支撑图案的表面上是不连续的。半导体器件可以包括上电极，上电极位于下电极结构上和支撑图案上。此外，半导体器件可以包括介电层，介电层位于下电极结构与上电极之间及支撑图案与上电极之间。下电极结构的第二导电部分可以包括铌。下电极结构的第二导电部分和介电层可以均包括具有四方结构的材料。

在一些实施例中，制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：通过蚀刻模块结构来形成电极孔，模块结构包括堆叠在基底上的模块层和支撑层；形成填充电极孔的下电极柱；蚀刻支撑层的位于下电极柱之间的部分，以形成具有使模块层的顶表面的部分暴露的通孔的支撑图案；通过通孔去除模块层，以使下电极柱的侧壁暴露；以及在下电极柱的侧壁和顶表面上选择性地形成下电极图案。