[发明专利]一种防止外露散热板镀锡的封装方法在审
申请号: | 202010482894.8 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN111725076A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 黄源炜;官名浩 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 外露 散热 镀锡 封装 方法 | ||
本发明公开一种防止外露散热板镀锡的封装方法,包括电镀步骤,在所述电镀骤中,将半导体器件放入电镀反应液中进行电镀,以使所述半导体器件的外露的管脚外部包覆金属镀层;所述半导体器件包括金属散热板,所述金属散热板具有外露的散热面;所述封装方法还包括防镀步骤,所述防镀步骤用于防止外露的所述散热面上附着金属镀层;所述防镀步骤为保护膜贴附步骤或金属镀层去除步骤;所述保护膜贴附步骤在所述电镀步骤之前进行;所述金属镀层去除步骤在所述电镀步骤之后进行。本发明的所述封装方法能够使得半导体器件的散热板的外露散热面没有金属镀层;采用该封装方法的半导体器件,在应用时,能够可靠安装散热器,散热效果得到提升。
技术领域
本发明涉及半导体加工制造技术领域,尤其涉及一种防止外露散热板镀锡的封装方法。
背景技术
功率半导体的散热能力与产品寿命有很大的相关性,半导体器件在工作时,其自身温升越高则其使用寿命越短,特别是功率器件封装产品更需要加强散热性能;功率器件封装产品一般内置散热板,散热板具有外露的散热面;封装产品在工作时,产生的热量一般需要通过外加散热器进行散热,散热器往往加装在散热板的外露散热面上;封装产品在上板(电路板)前,需要在封装产品的外露的管脚上,增加金属镀层,以提高管脚的可焊性,以保证封装产品与电路板之间的焊接可靠性。
但是,现有半导体封装技术中,一般采用电镀工艺实现外露管脚上的金属镀层加工,而在电镀加工中,需要将整个半导体器件置放入电镀反应液中,由于散热板为金属散热板,完成电镀加工后,在散热板外露的散热面上,也会附着金属镀层;如此,封装产品在经过SMT(Surface Mounted Technology)处理时,高温会使散热板的外露的散热面上的金属镀层熔化,金属镀层熔化后凝固,凝固后的表面凹凸不平,如此会影响散热器的安装效果和最终的散热效果,从而影响产品的寿命。
发明内容
本发明实施例的一个目的在于:提供一种防止外露散热板镀锡的封装方法,其能够使得半导体器件的散热板的外露散热面没有金属镀层。
本发明实施例的另一个目的在于:提供一种防止外露散热板镀锡的封装方法,采用该封装方法的半导体器件,在应用时,能够可靠安装散热器。
本发明实施例的另一个目的在于:提供一种防止外露散热板镀锡的封装方法,采用该封装方法的半导体器件,在应用时,散热效果得到提升。
为达上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种防止外露散热板镀锡的封装方法,包括电镀步骤,在所述电镀骤中,对所述半导体器件进行电镀,以使所述半导体器件的外露的管脚外部包覆金属镀层;
所述半导体器件包括金属散热板,所述金属散热板具有外露的散热面;
所述封装方法还包括防镀步骤,所述防镀步骤用于防止外露的所述散热面上附着金属镀层;所述防镀步骤为保护膜贴附步骤或金属镀层去除步骤;
所述保护膜贴附步骤在所述电镀步骤之前进行,所述保护膜贴附步骤为:在所述半导体器件表面贴附保护膜,以使所述保护膜覆盖所述散热面,从而防止在所述散热面在所述电镀步骤中形成金属镀层;
所述金属镀层去除步骤在所述电镀步骤之后进行,所述金属镀层步骤为:通过物理手段去除在所述散热面形成的金属镀层。
作为优选,所述防镀步骤采用所述保护膜贴附步骤,所述封装方法还包括保护膜去除步骤;
所述保护膜去除步骤在所述电镀步骤后进行,在所述保护膜去除步骤中,去除所述保护膜,以将所述散热面露出。
作为优选,在所述保护膜贴附步骤中,采用的所述保护膜为耐腐蚀耐高温薄膜。
作为优选,在所述保护膜贴附步骤中,采用的保护膜为聚酰亚胺薄膜。
作为优选,在所述保护膜贴附步骤中,采用的保护膜为光阻材料膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造