[发明专利]一种防止外露散热板镀锡的封装方法在审
申请号: | 202010482894.8 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN111725076A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 黄源炜;官名浩 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 外露 散热 镀锡 封装 方法 | ||
1.一种防止外露散热板镀锡的封装方法,包括电镀步骤,在所述电镀骤中,对所述半导体器件(100)进行电镀,以使所述半导体器件(100)的外露的管脚(20)外部包覆金属镀层(400),其特征在于,
所述半导体器件(100)包括金属散热板(30),所述金属散热板(30)具有外露的散热面(31);
所述封装方法还包括防镀步骤,所述防镀步骤用于防止外露的所述散热面(31)上附着金属镀层(400);所述防镀步骤为保护膜(200)贴附步骤或金属镀层(400)去除步骤;
所述保护膜(200)贴附步骤在所述电镀步骤之前进行,所述保护膜(200)贴附步骤为:在所述半导体器件(100)表面贴附保护膜(200),以使所述保护膜(200)覆盖所述散热面(31),从而防止在所述散热面(31)在所述电镀步骤中形成金属镀层(400);
所述金属镀层(400)去除步骤在所述电镀步骤之后进行,所述金属镀层(400)步骤为:通过物理手段去除在所述散热面(31)形成的金属镀层(400)。
2.根据权利要求1所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,所述防镀步骤采用所述保护膜(200)贴附步骤,所述封装方法还包括保护膜(200)去除步骤;
所述保护膜(200)去除步骤在所述电镀步骤后进行,在所述保护膜(200)去除步骤中,去除所述保护膜(200),以将所述散热面(31)露出。
3.根据权利要求2所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,在所述保护膜(200)贴附步骤中,采用的所述保护膜(200)为耐腐蚀耐高温薄膜。
4.根据权利要求3所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,在所述保护膜(200)贴附步骤中,采用的保护膜(200)为聚酰亚胺薄膜。
5.根据权利要求2所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,在所述保护膜(200)贴附步骤中,采用的保护膜(200)为光阻材料膜。
6.根据权利要求5所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,所述光阻材料膜具有正向光阻性,所述保护膜(200)去除步骤为光照显影步骤,在所述光照显影步骤中,覆盖于所述散热板(30)上的所述光阻材料膜溶于光阻显影液,以将所述散热面(31)露出。
7.根据权利要求5所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,所述保护膜(200)为阻焊绿漆膜。
8.根据权利要求1所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,所述防镀步骤采用所述金属镀层(400)去除步骤,在所述金属镀层(400)去除步骤中,采用磨砂装置(300)对覆盖于所述散热板(30)的散热面(31)上的金属镀层(400)进行打磨,以将所述散热面(31)露出。
9.根据权利要求1-8任一项所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,所述金属镀层(400)为锡镀层。
10.根据权利要求1-8任一项所述的防止外露散热板镀锡的封装方法,其特征在于,所述半导体器件(100)包括芯片(10)、焊材层(50)、散热板(30)、引线框架管脚(20)和封装体(60),所述芯片(10)与所述引线框架管脚(20)电性连接,所述散热板(30)为金属散热板(30),所述散热板(30)通过焊材层(50)焊接于所述芯片(10),所述封装体(60)包覆所述散热板(30)、所述芯片(10)和所述引线框架管脚(20);所述散热板(30)远离所述芯片(10)一侧的散热面(31)露出所述封装体(60),所述引线框架管脚(20)的一部分伸出所述封装体(60)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造