[发明专利]一种可控硅模块

说明书

本发明涉及一种可控硅模块，包括紫铜底板，设置在紫铜底板上的外壳，紫铜底板的左右两端分别设置有一个外接孔，紫铜底板位于两外接孔之间设置有两块陶瓷片，两陶瓷片上分别设置与一组覆铜区域，覆铜区域按照可控整流电路设置有一组引出电极片及两个芯片，芯片的中间设置有门极点，所述芯片和覆铜区域之间、门极点和覆铜区域之间键合有铝丝。本发明能够有效解决现有的可控硅模块通过连桥的方式进行连接，存在着应力高，易损坏芯片，缩短使用寿命的问题。

技术领域

本发明涉及一种可控硅模块。

背景技术

在现有技术的，可控硅整流模块的结构基本是包括壳体，设置在壳体内的引出电极片、铜连接板、连桥、可控芯片、陶瓷覆铜板和铜底板组等元器件，同时引出电极片、铜连接板、连桥、可控芯片、陶瓷覆铜板和铜底板组等通过环氧树脂封装在壳体内。

而通过连桥的方式进行连接，存在着应力高，易损坏芯片，缩短使用寿命的问题。

发明内容

本发明的目的是提供是一种可控硅模块，解决现有的可控硅模块通过连桥的方式进行连接，存在着应力高，易损坏芯片，缩短使用寿命的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种可控硅模块，包括紫铜底板，设置在紫铜底板上的外壳，紫铜底板的左右两端分别设置有一个外接孔，紫铜底板位于两外接孔之间设置有两块陶瓷片，两陶瓷片上分别设置与一组覆铜区域，覆铜区域按照可控整流电路设置有一组引出电极片及两个芯片，芯片的中间设置有门极点，所述芯片和覆铜区域之间、门极点和覆铜区域之间键合有铝丝。

进一步的，门极点和覆铜区域之间用于键合的铝丝为一根，呈门拱状的弧形结构。

进一步的，芯片非门极点区域用于键合覆铜区域的铝丝设置多根，各铝丝和芯片裸片相接的部分均设置有多个接触点，呈波浪状。

进一步的，芯片为区溶单晶，绕其上表面外边缘一周及绕门极点外圈一周均设置有钝化区，钝化区为二氧化硅、玻璃粉780℃高熔点钝化而成的区域。

进一步的，芯片绿阻焊在陶瓷片上。

进一步的，电极片的顶端设置外安装孔，电极片位于外接孔下方设置有易弯折孔，电极片和覆铜区域之间的焊接部分设置一排气缺口。

进一步的，电极片位于易弯折孔的下方设置有电极定位凸点，外壳内侧壁设置有和电极定位凸点相适配的电极定位凹点。

进一步的，电极片包括设置在覆铜区域上的折弯部及位于折弯部顶部的竖直部，折弯部和竖直部一体成型。

进一步的，铝丝的直径为0.38mm，铝丝键合高度不高于5mm。

进一步的，键合在同一芯片裸片上的铝丝的间距在0.5mm-1mm之间；所述底板为预弯紫铜底板，陶瓷片为氮气真空焊接在底板上。

本发明的有益效果：通过铝丝键合这样的软连接方式连接芯片裸片和覆铜区域，有效降低了芯片收到的应力，进而解决了现有的可控硅模块通过连桥的方式进行连接，存在着应力高，易损坏芯片，缩短使用寿命的问题。同时，现有的可控硅模块的芯片通过保护胶进行保护，其耐温在200℃左右，在模块焊接过程中，容易发生损害，影响产品的质量；而本发明中采用芯片裸片，其为区熔单晶，表面钝化采用二氧化硅、玻璃粉较高熔点(780℃以上)进行保护，模块焊接温度220℃-320℃(高温焊料)左右，在制造过程中不会对芯片保护层起到破坏作用。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为外壳和引出电极片之间的配合关系图。

具体实施方式