[发明专利]一种可控硅模块

权利要求书

1.一种可控硅模块，包括紫铜底板，设置在紫铜底板上的外壳，紫铜底板的左右两端分别设置有一个外接孔，紫铜底板位于两外接孔之间设置有两块陶瓷片，两陶瓷片上分别设置与一组覆铜区域，覆铜区域按照可控整流电路设置有一组引出电极片及两个芯片，芯片的中间设置有门极点，其特征在于：所述芯片和覆铜区域之间、门极点和覆铜区域之间键合有铝丝。

2.根据权利要求1所述的可控二极管模块，其特征在于：门极点和覆铜区域之间用于键合的铝丝为一根，呈门拱状的弧形结构。

3.根据权利要求1或2所述的可控硅模块，其特征在于：芯片非门极点区域用于键合覆铜区域的铝丝设置多根，各铝丝和芯片裸片相接的部分均设置有多个接触点，呈波浪状。

4.根据权利要求3所述的可控硅模块，其特征在于：芯片为区溶单晶，绕其上表面外边缘一周及绕门极点外圈一周均设置有钝化区，钝化区为二氧化硅、玻璃粉780℃高熔点钝化而成的区域。

5.根据权利要求4所述的可控二极管模块，其特征在于：芯片绿阻焊在陶瓷片上。

6.根据权利要求5所述的可控硅模块，其特征在于：电极片的顶端设置外安装孔，电极片位于外接孔下方设置有易弯折孔，电极片和覆铜区域之间的焊接部分设置一排气缺口。

7.根据权利要求6所述的可控硅模块，其特征在于：电极片位于易弯折孔的下方设置有电极定位凸点，外壳内侧壁设置有和电极定位凸点相适配的电极定位凹点。

8.根据权利要求7所述的可控硅模块，其特征在于：电极片包括设置在覆铜区域上的折弯部及位于折弯部顶部的竖直部，折弯部和竖直部一体成型。

9.根据权利要求8所述的整流模块，其特征在于：铝丝的直径为0.38mm，铝丝键合高度不高于5mm。

10.根据权利要求9所述的可控硅模块，其特征在于：键合在同一芯片裸片上的铝丝的间距在0.5mm-1mm之间；所述底板为预弯紫铜底板，陶瓷片为氮气真空焊接在底板上。