[发明专利]一种沟槽型SiC器件在审
| 申请号： | 202010472712.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111627983A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;徐妙玲;李明山;李百泉;李天运;孙安信 | 申请（专利权）人： | 东莞南方半导体科技有限公司;北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 523808 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sic 器件 | ||
1.一种沟槽型SiC器件，其特征在于，
在沟槽内的侧壁处设置栅电极；
在沟槽内的中心处设置源电极；
在沟槽的底部设置有p+区；
所述沟槽内侧壁处的栅电极与所述沟槽内中心处的源电极之间通过介质隔离；所述沟槽内中心处的源电极与台面上的源电极进行电连接；所述沟槽底部的p+区与所述沟槽内中心处的源电极进行电连接。
2.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，自下而上依次包括：n+SiC衬底、n+缓冲层、n-漂移层、n JFET层和P层；
在所述P层有源区分别间隔的离子注入形成台面上的n+区和p+区，所述台面上的p+区的深度大于n+区，且与p基区电连接；
在所述P层刻蚀形成U型沟槽，所述沟槽的底部通过离子注入形成p+区，在所述p基区以下，沟槽底部的p+区之间形成了导电的JFET区。
3.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述沟槽底部的全部区域设置有p+区；在沟槽底部所述p+区的上方形成欧姆接触，与沟槽内中心处的源电极形成电连接。
4.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述沟槽底部的四周形成p+区，所述沟槽底部的中心形成n区；在沟槽底部所述p+区的上方形成欧姆接触；在沟槽底部所述n区的上方形成肖特基接触，同时与沟槽内中心处的源电极形成电连接。
5.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述沟槽内的侧壁设置有栅介质。
6.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述沟槽内侧壁处的栅电极与所述沟槽内中心处的源电极之间设置有层间介质，所述层间介质的截面为折角形。
7.根据权利要求6所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述层间介质的厚度不小于0.2um。
8.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述台面上的p+区和n+区上方形成欧姆接触，与台面上的源电极进行电连接。
9.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述台面上的n+区的深度大于0.2um，所述台面上的p+区的深度大于n+区。
10.根据权利要求1所述的沟槽型SiC器件，其特征在于，所述沟槽底部的p+区的掺杂浓度大于1e18cm-3。
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