[发明专利]一种散热基板、功率模块、功率器件及散热基板加工方法

权利要求书

1.一种散热基板，其特征在于，包括第一导电表层、连接层和第二导电表层，所述第一导电表层和第二导电表层电性连通；

所述第一导电表层和所述第二导电表层分别贴合设置在所述连接层的两个表面上；

所述第一导电表层和所述连接层之间设置有第一流道，所述第一流道具有至少一个第一流道口；以第一金属薄片作为第一导电表层，并在所述第一金属薄片上蚀刻出第一流道后，将所述第一金属薄片设置有第一流道的侧面烧结在连接层上；或在所述连接层表面基于金属材料逐层生长的方式形成所述第一导电表层，在所述金属材料逐层生长的过程中，每一层金属材料在对应于所述第一流道的位置镂空；

和/或所述第二导电表层和所述连接层之间设置有第二流道，所述第二流道具有至少一个第二流道口；以第二金属薄片作为第二导电表层，并在所述第二金属薄片上蚀刻出第二流道后，将所述第二金属薄片设置有第二流道的侧面烧结在连接层上；或在所述连接层表面基于金属材料逐层生长的方式形成所述第二导电表层，在所述金属材料逐层生长的过程中，每一层金属材料在对应于所述第二流道的位置镂空。

2.如权利要求1所述的散热基板，其特征在于，所述连接层为绝缘层，所述第一导电表层和所述第二导电表层基于穿过所述连接层的电连接件或沉铜孔电性连通；

或所述连接层为导电层，所述第一导电表层和第二导电表层基于所述连接层电性连通。

3.如权利要求1所述的散热基板，其特征在于，所述第一流道设置在所述第一导电表层上；和/或所述第二流道设置在所述第二导电表层上。

4.如权利要求1至3任一项所述的散热基板，其特征在于，所述第一流道和第二流道基于若干个贯穿所述连接层的连接孔连通，所述第一流道和第二流道一共具有至少两个流道口。

5.一种功率模块，其特征在于，包括散热基板、若干个功率芯片和封装层；

所述散热基板包括第一导电表层、连接层和第二导电表层，所述第一导电表层和第二导电表层电性连通；

所述第一导电表层和所述第二导电表层分别贴合设置在所述连接层的两个表面上；

所述第一导电表层和所述连接层之间设置有第一流道，所述第一流道具有至少一个第一流道口；和/或所述第二导电表层和所述连接层之间设置有第二流道，所述第二流道具有至少一个第二流道口；

所述若干个功率芯片中的任一功率芯片包括设置在两个相对表面上的若干个芯片引脚；

所述若干个功率芯片中的任一功率芯片上的其中一个引脚键合设置在所述散热基板上；

所述封装层基于封装材料制成，所述封装层将所述若干个功率芯片封装在所述散热基板上，所述若干个功率芯片中的任一功率芯片除键合设置在所述散热基板上的引脚外的其余引脚从所述封装层内部引出至所述封装层表面。

6.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述若干个功率芯片中至少部分功率芯片为二极管；

所述二极管的正极和负极分别设置在所述二极管的两个相对的表面上；

所述二极管的正极键合设置在所述散热基板上时，所述二极管的负极外露于所述封装层；所述二极管的负极键合设置在所述散热基板上时，所述二极管的正极外露于所述封装层。

7.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述若干个功率芯片中至少部分功率芯片为开关管，所述开关管的栅极和源极设置在所述开关管的一个表面上，所述开关管的漏极设置在所述开关管的另一个相对的表面上；

在所述开关管的漏极键合在所述散热基板上时，所述开关管的栅极和源极外露于所述封装层；

或在所述开关管的源极键合在所述散热基板上时，所述开关管的漏极外露于所述封装层，所述开关管的栅极基于一栅极连接件从所述封装层内部引出至所述封装层表面。

8.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述散热基板基于一基板连接件从所述封装层内部引出至所述封装层表面。