[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有若干分立排布的沟道柱，所述沟道柱包括真沟道柱以及伪沟道柱；

在所述基底表面、所述沟道柱的侧壁和顶部形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成图形化层，所述图形化层暴露出所述伪沟道柱侧壁和顶部的所述牺牲层以及位于所述真沟道柱与所述伪沟道柱之间的所述基底上的部分所述牺牲层；

形成所述图形化层之后，去除暴露出的所述牺牲层以及位于所述牺牲层底部的所述伪沟道柱，暴露出所述基底表面。

2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层材料为SiN、SiOCN或SiBCN中的至少一种。

3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之前，还包括：在所述基底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述沟道柱的部分侧壁，所述隔离层的顶部表面低于所述沟道柱的顶部表面。

4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述隔离层的方法包括：在所述基底上形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述真沟道柱与所述伪沟道柱；对所述初始隔离层进行平坦化处理，直至暴露出所述真沟道柱与所述伪沟道柱的顶部表面为止；在平坦化处理之后，回刻蚀部分所述初始隔离层，形成所述隔离层。

5.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除暴露出的所述牺牲层以及位于所述牺牲层底部的所述伪沟道柱，至暴露出所述基底表面之后，还包括：去除所述图形化层。

6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除所述图形化层之后，还包括：在剩余且处于所述隔离层中且表面低于所述隔离层表面的所述伪沟道柱的顶部表面形成绝缘层，所述绝缘层的顶部表面与所述隔离层的顶部表面齐平。

7.如权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述绝缘层之后，还包括：去除所述真沟道柱顶部和侧壁上的所述牺牲层、以及所述基底表面的所述牺牲层。

8.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除所述真沟道柱顶部和侧壁上的所述牺牲层、以及所述基底表面的所述牺牲层之后，还包括：在所述真沟道侧壁表面形成栅极结构，所述栅极结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分包围所述真沟道柱，所述第二部分位于所述真沟道柱一侧的所述基底的表面。

9.如权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的第一部分包括：位于所述真沟道柱侧壁的栅介质层，位于所述栅介质层表面的功函数层，位于所述功函数层表面的栅极层；所述栅极结构的第二部分包括：位于所述基底表面的功函数层，位于功函数层表面的栅极层。

10.如权利要求8所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述真沟道柱的侧壁表面形成栅极结构之后，还包括：在所述隔离层以及所述绝缘层上形成介质层，所述介质层覆盖所述栅极结构与所述真沟道柱；在所述介质层内形成导电结构。

11.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底；

真沟道柱，位于所述基底上；

隔离层，位于所述基底上，且覆盖所述真沟道柱的部分侧壁；

部分伪沟道柱，位于所述基底上且位于所述隔离层内，且顶部表面低于所述隔离层的顶部表面。

12.如权利要求11所述半导体器件，其特征在于，还包括：绝缘层，所述绝缘层位于所述部分伪沟道柱的顶部表面上，且顶部表面与所述隔离层的顶部表面齐平。

13.如权利要求11所述半导体器件，其特征在于，还包括：栅极结构，所述栅极结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分包围所述真沟道柱，所述第二部分位于所述真沟道柱一侧的所述隔离层的表面。