[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括外围区与核心区，所述外围区上具有若干分立排布的第一沟道柱，所述核心区上具有若干分立排布的第二沟道柱；

在所述基底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一沟道柱和所述第二沟道柱的部分侧壁；

在所述核心区的所述隔离层上及所述第二沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层，所述牺牲层的刻蚀速率大于所述隔离层的刻蚀速率；

在所述牺牲层上、所述外围区的所述隔离层上及所述第一沟道柱的侧壁和顶部上形成第一栅氧化层；

形成图形化层，所述图形化层暴露出所述牺牲层上的所述第一栅氧化层；

去除暴露出的所述第一栅氧化层和位于所述第一栅氧化层底部的所述牺牲层，至暴露出所述核心区的所述隔离层的表面及所述第二沟道柱的顶部和侧壁表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的刻蚀速率与所述隔离层的刻蚀速率比值为10:1～100:1。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为SiN、SiOCN或SiBCN。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一栅氧化层的工艺为原子层沉积工艺或热氧化工艺。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除暴露出的所述第一栅氧化层和位于所述第一栅氧化层底部的所述牺牲层，至暴露出所述核心区的所述隔离层的表面及所述第二沟道柱的顶部和侧壁表面之后，去除所述图形化层。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述核心区的所述隔离层上及所述第二沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层的步骤包括：

在所述隔离层上、所述第一沟道柱的侧壁和顶部表面及所述第二沟道柱的侧壁和顶部表面形成初始牺牲层；

刻蚀去除所述外围区的所述隔离层上及所述第一沟道柱的顶部和侧壁上的所述初始牺牲层，在所述核心区的所述隔离层上及所述第二沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层。

8.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在去除所述图形化层之后，在所述第一沟道柱上形成第一栅极结构，在所述第二沟道柱上形成第二栅极结构。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底以及形成在所述衬底上的源掺杂层，所述第一沟道柱与所述第二沟道柱形成在所述源掺杂层上。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括形成保护层，所述保护层位于所述第一沟道柱和所述第二沟道柱的顶部表面。