[发明专利]固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法在审

专利信息
申请号: 202010467435.2 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN111665295A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 杨安丽;张新河;高博;陈施施;温正欣;张志新;张国旗 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: G01N29/06 分类号: G01N29/06;G01N29/28
代理公司: 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 代理人: 刘敦枫
地址: 518055 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 固体 材料 半导体器件 内部 缺陷 检测 方法
【说明书】:

发明实施例涉及固体及半导体器件测试分析及检测技术,公开了一种固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法,利用超声波对待测固体材料或者半导体器件进行检测,该方法首先准备超声波设备,超声波设备包括声学信号源、声学换能器、声波采集模块和声波分析模块;在待测固体器件和声学换能器之间涂覆耦合剂材料;声学信号源发出超声信号,待测固体器件与声学换能器耦合而传输超声波;声波采集模块采集待测固体器件声波图像;声波分析模块对声波图像进行分析,获取待测固体器件内部形貌数据。非破坏测量样品表面及内部形貌的方法,简单方便。此法可改善样品与换能器之间的超声波信号传输的效果,极大地提高扫描探针声学显微镜的成像质量。

技术领域

本发明实施例涉及半导体检测技术领域,特别涉及固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法。

背景技术

目前,对于固体和半导体器件,常用的缺陷检测手段包括化学腐蚀后用光学显微镜观察、工业CT和透射电子显微镜。但是化学腐蚀对样品有极大的破坏性,光学显微镜只能观察样品表面的缺陷;工业CT利用X射线也会对样品产生伤害,并且对材料密度差异小的样品很难测定。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法,利用超声波对待测固体和半导体器件进行检测,所述方法包括:

准备超声波设备,所述超声波设备包括声学信号源、声学换能器、声波采集模块和声波分析模块;

在所述待测固体器件和所述声学换能器之间涂覆耦合材料;

所述声学信号源发出超声信号,所述待测固体器件与所述声学换能器耦合而传输超声波;

所述声波采集模块采集所述待测固体器件声波图像;

所述声波分析模块对所述声波图像进行分析,获取所述待测固体器件内部形态数据。

进一步可选的,所述待测固体器件为可具有不同形状和尺寸待测半导体器件或待测陶瓷器件。

进一步可选的,所述的耦合材料材料为凡士林、甘油或硅脂。

进一步可选的,所述声学换能器为两个或多个,每个所述声学换能器具有不同形状和/或尺寸。

有益效果:

本发明实施方式相对于现有技术而言,非破坏测量样品表面及内部形貌的方法,简单方便。此法可改善样品与换能器之间的超声波信号传输的效果,极大地提高扫描探针声学显微镜的成像质量。

上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本发明的具体实施方式

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:

图1为本发明固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法的流程图;

图2为图1所示方法中待测固体器件与超声波设备之间安放结构示意图;

图3为图2所示一种固体器件结构对应对安放结构局部放大图;

图4为图2所示一种固体器件结构对应对安放结构局部放大图。

具体实施方式

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