[发明专利]固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法在审
申请号: | 202010467435.2 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111665295A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 杨安丽;张新河;高博;陈施施;温正欣;张志新;张国旗 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | G01N29/06 | 分类号: | G01N29/06;G01N29/28 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 刘敦枫 |
地址: | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 材料 半导体器件 内部 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种固体材料及半导体器件内部缺陷检测方法,其特征在于,利用超声波对待测半导体材料或器件内部缺陷形貌进行检测,所述方法包括:
准备超声波设备,所述超声波设备包括声学信号源、声学换能器、声波采集模块和声波分析模块;
在所述待测固体样品或半导体器件和所述声学换能器之间涂覆耦合剂材料;
所述声学信号源发出超声信号,所述待测固体样品或半导体器件与所述声学换能器耦合而传输超声波;
所述声波采集模块采集所述待测固体样品或半导体器件声波图像;
所述声波分析模块对所述声波图像进行分析,获取所述待测固体样品或半导体器件内部形貌数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待测固体样品或半导体器件为待测半导体样品或器件或待测陶瓷器件。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述的耦合剂为凡士林、甘油或硅脂。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,每个所述固体样品或半导体器件具有不同形状和/或尺寸。
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