[发明专利]压接型IGBT局部放电模拟装置及方法

说明书

本申请涉及一种压接型IGBT局部放电模拟装置及方法。所述压接型IGBT局部放电模拟装置包括：箱体，具有一容纳腔；模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；高压电极，设置于所述容纳腔；接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，高压电极和接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。本申请提供的压接型IGBT局部放电模拟装置及方法能够实现压接型IGBT局部放电的模拟。

技术领域

本申请涉及电路领域，特别是涉及压接型IGBT局部放电模拟装置及方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由BJT((Bipolar Junction Transistor，双极结晶晶体管)和MOS(Metal Oxide Semiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域的电力设备。

IGBT分为焊接型IGBT和压接型IGBT。IGBT内部电气绝缘缺陷会导致局部放电，局部放电会对电力设备造成损害，因此，对于IGBT局部放电特性的研究至关重要。然而，传统技术中缺乏对IGBT局部放电进行模拟的装置，尤其是缺乏压接型IGBT局部放电模拟装置。

发明内容

基于此，提供一种压接型IGBT局部放电模拟装置及方法。

一种压接型IGBT局部放电模拟装置，包括：

箱体，具有一容纳腔；

模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；

高压电极，设置于所述容纳腔；

接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，所述高压电极和所述接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；

高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。

在其中一个实施例中，所述模拟样件具有第一表面，所述高压电极和所述接地电极均与所述第一表面接触，所述压接型IGBT局部放电模拟装置还包括：

横向调节组件，设置于所述箱体，与所述高压电极和/或所述接地电极连接，用于调节所述高压电极与所述接地电极之间的距离。

在其中一个实施例中，所述横向调节组件包括：

第一调节块，设置于所述容纳腔，位于所述高压电极远离所述模拟样件的一侧，并与所述高压电极连接；

第一调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第一调节块连接。

在其中一个实施例中，所述横向调节组件还包括：

第二调节块，设置于所述容纳腔，位于所述接地电极远离所述模拟样件的一侧，并与所述接地电极连接；

第二调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第二调节块连接。

在其中一个实施例中，所述压接型IGBT局部放电模拟装置还包括：

第一压紧组件，设置于所述容纳腔，所述第一压紧组件穿过所述第一调节块抵接于所述高压电极，并朝所述模拟样件的方向挤压所述高压电极；

第二压紧组件，设置于所述容纳腔，所述第二压紧组件穿过所述第二调节块抵接于所述接地电极，并朝所述模拟样件的方向挤压所述接地电极。

在其中一个实施例中，所述高压电极为针状电极或球状电极，所述接地电极为板状电极；