[发明专利]压接型IGBT局部放电模拟装置及方法

权利要求书

1.一种压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，包括：

箱体，具有一容纳腔；

模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；

高压电极，设置于所述容纳腔；

接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，所述高压电极和所述接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；

高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。

2.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述模拟样件具有第一表面，所述高压电极和所述接地电极均与所述第一表面接触，所述压接型IGBT局部放电模拟装置还包括：

横向调节组件，设置于所述箱体，与所述高压电极和/或所述接地电极连接，用于调节所述高压电极与所述接地电极之间的距离。

3.根据权利要求2所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述横向调节组件包括：

第一调节块，设置于所述容纳腔，位于所述高压电极远离所述模拟样件的一侧，并与所述高压电极连接；

第一调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第一调节块连接。

4.根据权利要求3所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述横向调节组件还包括：

第二调节块，设置于所述容纳腔，位于所述接地电极远离所述模拟样件的一侧，并与所述接地电极连接；

第二调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第二调节块连接。

5.根据权利要求4所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，还包括：

第一压紧组件，设置于所述容纳腔，所述第一压紧组件穿过所述第一调节块抵接于所述高压电极，并朝所述模拟样件的方向挤压所述高压电极；

第二压紧组件，设置于所述容纳腔，所述第二压紧组件穿过所述第二调节块抵接于所述接地电极，并朝所述模拟样件的方向挤压所述接地电极。

6.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述高压电极为针状电极或球状电极，所述接地电极为板状电极；

或，所述高压电极为板状电极，所述接地电极为针状电极或球状电极；

或，所述高压电极和所述接地电极均为板状电极；

或，所述高压电极和所述接地电极均为针状电极。

7.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，还包括：

盖板，盖设于所述箱体，用于密封所述容纳腔，所述箱体和所述盖板均为透明材料制成。

8.一种压接型IGBT局部放电模拟方法，其特征在于，包括：

提供一箱体，所述箱体具有一容纳腔；

提供一模拟样件，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；

根据所述待模拟IGBT的类型选定高压电极和接地电极的类型，并确定高压电极和接地电极的布置方式；

根据选定的类型提供高压电极和接地电极；

将所述模拟样件、所述高压电极和所述接地电极按照确定的布置方式置入所述容纳腔，并使所述高压电极和所述接地电极间隔设置，所述高压电极和所述接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；

通过高压电源向所述高压电极提供高压电，以使所述模拟样件发生局部放电。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述待模拟IGBT的类型选定高压电极和接地电极的类型，包括：

根据所述待模拟IGBT的类型搭建仿真模型；

对所述仿真模型进行仿真计算，得到所述仿真模型的电场强度分布；

根据所述电场强度分布确定所述待模拟IGBT的电场集中形式和/或电场均匀性；

根据所述电场集中形式和/或电场均匀性确定所述高压电极和所述接地电极的类型；

根据所述电场集中形式确定所述高压电极和所述接地电极的布置方式。