[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010466224.7 | 申请日: | 2020-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN111584604A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 李伟;夏晶晶;周斌;苏同上;郭清化 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本公开提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,OLED显示基板,包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层,所述薄膜晶体管包括有源层;所述OLED显示基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层,所述遮光层复用为所述OLED显示基板的绝缘层。本公开的技术方案能够保证显示装置的显示效果。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Electro-luminescent Display,简称OLED)因具有自发光、工作电压低、轻薄、可柔性化以及色彩饱和度高等诸多优点,在显示、照明等领域得到广泛的应用。
有机电致发光器件的制作过程包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT),在形成有薄膜晶体管的衬底基板上依次形成阳极、像素界定层、发光层以及阴极,其中,阳极与薄膜晶体管的漏极电连接。
然而,由于发光层发出的光中部分光经过有机电致发光器件中膜层的折射与反射后会射到薄膜晶体管的有源层上,从而会影响薄膜晶体管的特性,造成薄膜晶体管阈值电压(Vth)的不稳定和关态电流(Ioff)的增加,影响发光效果。尤其是现有的低温多晶硅(Lowtemperature Poly-silicon,简称LTPS)薄膜晶体管,由于低温多晶硅对光非常敏感,发光层发出的光射到低温多晶硅层会引起光生电子产生,从而会显著影响薄膜晶体管的特性,进而影响显示装置的显示效果。
发明内容
本公开要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,能够保证显示装置的显示效果。
为解决上述技术问题,本公开的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种OLED显示基板,包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层,所述薄膜晶体管包括有源层;所述OLED显示基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层,所述遮光层复用为所述OLED显示基板的绝缘层。
一些实施例中,所述遮光层对波长为600nm以下的光线的透过率低于10%。
一些实施例中,所述OLED显示基板包括位于所述有源层和所述第一电极之间的平坦层,所述遮光层复用为所述平坦层,所述平坦层采用遮光有机硅氧烷树脂。
一些实施例中,所述平坦层的厚度为2-4um。
一些实施例中,所述遮光有机硅氧烷树脂包括透明有机硅氧烷树脂和掺杂在所述透明有机硅氧烷树脂中的吸光粒子。
一些实施例中,所述遮光有机硅氧烷树脂中,所述吸光粒子与所述透明有机硅氧烷树脂的重量百分比为1~2:40。
一些实施例中,所述吸光粒子采用以下至少一种:炭黑、石墨烯和碳纳米管。
一些实施例中,所述OLED显示基板还包括设置在显示区域周边的对位标记,所述对位标记与所述平坦层采用相同的材料制作。
本公开实施例还提供了一种显示面板,包括如上所述的OLED显示基板。
本公开实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的OLED显示基板。
本公开实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法,包括在衬底基板上依次形成薄膜晶体管、第一电极和发光层,所述薄膜晶体管包括有源层,所述制作方法还包括:
在所述有源层和所述第一电极之间形成遮光层,所述遮光层复用为所述OLED显示基板的绝缘层。
一些实施例中,所述OLED显示基板包括位于所述有源层和所述第一电极之间的平坦层,形成所述平坦层包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





