[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202010466224.7 | 申请日: | 2020-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN111584604A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
| 发明(设计)人: | 李伟;夏晶晶;周斌;苏同上;郭清化 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示基板,其特征在于,包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管、第一电极和发光层,所述薄膜晶体管包括有源层;所述OLED显示基板还包括设置在所述有源层和所述第一电极之间的遮光层,所述遮光层复用为所述OLED显示基板的绝缘层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述遮光层对波长为600nm以下的光线的透过率低于10%。
3.根据权利要求1所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板包括位于所述有源层和所述第一电极之间的平坦层,所述遮光层复用为所述平坦层,所述平坦层采用遮光有机硅氧烷树脂。
4.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述平坦层的厚度为2-4um。
5.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述遮光有机硅氧烷树脂包括透明有机硅氧烷树脂和掺杂在所述透明有机硅氧烷树脂中的吸光粒子。
6.根据权利要求5所述的OLED显示基板,其特征在于,所述遮光有机硅氧烷树脂中,所述吸光粒子与所述透明有机硅氧烷树脂的重量百分比为1~2:40。
7.根据权利要求5所述的OLED显示基板,其特征在于,所述吸光粒子采用以下至少一种:炭黑、石墨烯和碳纳米管。
8.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述OLED显示基板还包括设置在显示区域周边的对位标记,所述对位标记与所述平坦层采用相同的材料制作。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的OLED显示基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8中任一项所述的OLED显示基板。
11.一种OLED显示基板的制作方法,其特征在于,包括在衬底基板上依次形成薄膜晶体管、第一电极和发光层,所述薄膜晶体管包括有源层,所述制作方法还包括:
在所述有源层和所述第一电极之间形成遮光层,所述遮光层复用为所述OLED显示基板的绝缘层。
12.根据权利要求11所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,所述OLED显示基板包括位于所述有源层和所述第一电极之间的平坦层,形成所述平坦层包括:
将吸光粒子混入有机硅氧烷树脂溶液中,搅拌均匀后将有机硅氧烷树脂溶液涂覆在形成有所述薄膜晶体管的衬底基板上,固化后形成所述平坦层。
13.根据权利要求12所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,所述有机硅氧烷树脂溶液中,所述吸光粒子与有机硅氧烷树脂的重量百分比为1~2:40。
14.根据权利要求12所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,所述吸光粒子采用以下至少一种:炭黑、石墨烯和碳纳米管。
15.根据权利要求12所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,固化后形成所述平坦层之后,所述制作方法还包括:
对所述平坦层进行构图形成平坦层的图形和位于显示区域周边的对位标记。
16.根据权利要求15所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,形成所述第一电极包括:
在所述平坦层上形成第一电极材料层;
在所述第一电极材料层上涂覆光刻胶,利用所述对位标记将掩膜板与所述衬底基板进行对位,以所述掩膜板为遮挡,对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域;
对光刻胶去除区域的第一电极材料层进行刻蚀,剥离剩余的光刻胶,形成所述第一电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010466224.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三层光刻材料的返工方法
- 下一篇:P型MOSFET及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





