[发明专利]一种晶圆的封装工艺有效
| 申请号: | 202010463058.5 | 申请日: | 2020-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN111613529B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
| 发明(设计)人: | 王林;李菲;李伟龙 | 申请(专利权)人: | 华天慧创科技(西安)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 姚咏华 |
| 地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 工艺 | ||
1.一种晶圆的封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、对晶圆(1)的透镜面进行预切割,预切割的方式采用隔列或隔行预切割,形成若干个切割道(2);
步骤2、在基板(4)上点胶;
步骤3、将间隔片(3)与基板(4)进行对准压合:在基板(4)上粘结多个成行或成列排列的间隔片(3),间隔片(3)包括两部分,一部分与晶圆(1)上的切割道(2)位置对应,另一部分位于两个切割道(2)之间,将上述多个间隔片(3)与基板(4)进行对准压合;
步骤4、在与晶圆(1)上的切割道(2)不对应的间隔片(3)上粘合胶层;在与晶圆(1)上的切割道(2)对应的间隔片(3)上不粘合胶层;
步骤5、将步骤1预切割后的晶圆(1)与间隔片(3)对准压合;
步骤6、对晶圆(1)的切割道(2)进行补充点胶。
2.一种晶圆的封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、对晶圆(1)的透镜面进行预切割,预切割的方式采用隔列或隔行预切割,形成若干个切割道(2);
步骤2、在间隔片(3)的下表面滚胶;
步骤3、将下表面已滚胶的间隔片(3)与基板(4)进行对准压合:在基板(4)上粘结多个成行或成列排列的间隔片(3),间隔片(3)包括两部分,一部分与晶圆(1)上的切割道(2)位置对应,另一部分位于两个切割道(2)之间,将上述多个间隔片(3)与基板(4)进行对准压合;
步骤4、在与晶圆(1)上的切割道(2)不对应的间隔片(3)上粘合胶层;在与晶圆(1)上的切割道(2)对应的间隔片(3)上不粘合胶层;
步骤5、将步骤1预切割后的晶圆(1)与间隔片(3)对准压合;
步骤6、对晶圆(1)的切割道(2)进行补充点胶。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,步骤4中,粘合胶层采用点胶或滚胶的方式。
4.根据权利要求3所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,采用点胶方式时,步骤4具体为:
在与晶圆(1)上的切割道(2)不对应的间隔片(3)上点胶。
5.根据权利要求3所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,采用滚胶的方式时,步骤4具体为:
在间隔片(3)的上表面滚胶,将间隔片(3)上表面与切割道(2)相对应的面上的胶去除。
6.根据权利要求1或2所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,在步骤3和步骤5中,在对准压合时,对胶层进行加热固化。
7.根据权利要求1或2所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,在步骤1之前预先在晶圆(1)的平面上贴合胶膜(5);在步骤5完成之后撕掉胶膜(5)。
8.根据权利要求7所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,胶膜(5)采用UV膜。
9.根据权利要求1或2所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,步骤1中,预切割的位置与间隔片(3)及基板(4)隔行或隔列的位置相对应。
10.根据权利要求1或2所述的晶圆的封装工艺,其特征在于,步骤1中,切割道(2)宽度小于间隔片(3)的厚度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天慧创科技(西安)有限公司,未经华天慧创科技(西安)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010463058.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





