[发明专利]电极形成

说明书

本发明描述与电极形成相关的设备、方法和系统。在存储节点的电介质材料上方形成顶部电极的第一部分。在所述电极的所述第一部分上方形成金属氧化物。在所述金属氧化物上方形成所述电极的第二部分。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置及方法，且更具体来说侧重于增强现有电极材料及其形成的电势垒能力。

背景技术

针对计算、人工智能或其它电子装置应用，存储器装置通常被提供为先进集成半导体逻辑电路的主要内部零件之一。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)及闪存等。一些类型的存储器装置可为非易失性存储器(例如，ReRAM)且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的广泛范围的电子应用。易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来保持其存储的数据状态(例如，经由刷新过程)，此不同于在没有电力的情况下保持其存储状态的非易失性存储器单元(例如，闪存单元)。但是，各种易失性存储器单元(例如，DRAM单元)可比各种非易失性存储器单元(例如，闪存单元)更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种设备，其包括：电极的第一部分，其形成于存储节点的电介质材料上方；金属氧化物，其形成于所述电极的所述第一部分上方；及所述电极的第二部分，其形成于所述金属氧化物上方。

在另一方面中，本申请案进一步提供一种方法，其包括：将电极的第一部分沉积于到存储器单元的存储节点的电介质材料上方；将金属氧化物沉积于所述电极的所述第一部分上方；及将所述电极的第二部分沉积于所述金属氧化物上方。

在又一方面中，本申请案进一步提供一种系统，其包括：存储器单元的存储节点，所述存储节点包括：电介质材料；电极的第一部分，其形成于所述电介质材料上；金属氧化物，其形成于所述电极的所述第一部分上；及所述电极的第二部分，其形成于所述金属氧化物上。

附图说明

图1到3说明根据本发明的若干实施例的形成在电介质材料上的电极的实例横截面视图。

图4A到4B说明根据本发明的若干实施例的存储节点的实例俯视图。

图5说明根据本发明的若干实施例的存储节点的实例横截面侧视图。

图6说明根据本发明的若干实施例的可耦合到具有电极的存储节点的存取装置的横截面视图。

图7说明根据本发明的若干实施例的用于在电容器单元中形成电极的实例方法的流程图。

图8是根据本发明的若干实施例的用于实施实例半导体制造工艺的系统的功能框图。

图9是包含具有根据本发明的若干实施例形成的电极的至少一个存储器阵列的计算系统的功能框图。

具体实施方式

各种类型的存储器装置(包含易失性及/或非易失性存储器单元的阵列(例如，存储器阵列))可包含薄导电电极，例如，到电容器结构的顶部电极。存储器单元的维度持续缩小，以便提供每裸片面积更高的存储器密度；因此，例如，顶部电极厚度通常约为二十埃厚。随着高密度装置缩小设计规则，在后续半导体加工步骤中保护底层材料越发相关。例如，在后续处理步骤期间保护顶部导电电极下方或与其邻近的高k电介质材料不受损坏与最终变成单元泄漏控制的电介质损坏的总体阻止以及保护单元电容相关。即，随着存储器装置的物理大小减小，电介质泄漏控制变得越来越困难。为了减小电介质泄漏，本发明的一些实施例包含将金属氧化物材料沉积于电极内。