[发明专利]电极形成

权利要求书

1.一种设备，其包括：

电极的第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)，其形成于存储节点(408、409、508、631)的电介质材料(106、206、306、406、506)上方；

金属氧化物(104、204、304、404、504)，其在所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)上方形成；及

所述电极的第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)，其形成于所述金属氧化物(104、204、304、404、504)上方。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极(102、202、302、402、502)是到作为电容器单元的存储节点(408、409、508、631)的氮化钛(TiN)电极。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)是氧化铝(AlOx)。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)是氧化硅(SiOx)。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)形成到在所述顶部电极(102、202、302、402、502)的厚度的百分之十(10％)到百分之十五(15％)的范围中的厚度。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属氧化物(104、204、304、404、504)定位在所述顶部电极(102、202、302、402、502)的不同区域中。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述电介质材料(106、206、306、406、506)是高介电常数(k)材料。

8.一种方法，其包括：

将电极的第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)沉积于到存储器单元的存储节点(408、409、508、631)的电介质材料(106、206、306、406、506)上方；

将金属氧化物(104、204、304-1、404、504)沉积于所述电极的所述第一部分(102-1、202-1、302-1、402-1、502-1)上方；及

将所述电极的第二部分(102-2、202-2、302-2、402-2、502-2)沉积于所述金属氧化物(104、204、304-1、404、504)上方。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将作为顶部电极(102、202、302、402、502)的所述电极沉积到在0到40埃的范围中的厚度。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括将所述金属氧化物(104、204、304、404、504)沉积到在0到的范围中的厚度。

11.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用原子层沉积ALD沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

12.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用原子层沉积ALD的多个循环沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

13.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用共形沉积沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。

14.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括使用化学气相沉积CVD沉积所述金属氧化物(104、204、304、404、504)。