[发明专利]发光二极管芯片初始结构、图像显示设备与芯片分类系统有效
| 申请号: | 202010451742.1 | 申请日: | 2020-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN113497168B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | 廖建硕 | 申请(专利权)人: | 台湾爱司帝科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/00;H01L25/00;H01L25/16 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 黄隶凡 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 芯片 初始 结构 图像 显示 设备 分类 系统 | ||
1.一种发光二极管芯片初始结构,所述发光二极管芯片初始结构放置于一液体容器的一液态物质内,其特征在于,所述发光二极管芯片初始结构包括:
一发光二极管芯片主体,所述发光二极管芯片主体具有一暂无电极端以及一电极连接端;以及
一导电电极,所述导电电极设置在所述发光二极管芯片主体的所述电极连接端上,以电性连接于所述发光二极管芯片主体;
其中,多个所述发光二极管芯片初始结构中的每一个通过所述导电电极而黏附在对应的热熔材料上,且多个所述热熔材料之中具有至少两种以上不同的熔点。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片初始结构,其特征在于,所述发光二极管芯片主体包括一P型半导体层、设置在所述P型半导体层上的一发光层以及设置在所述发光层上的一N型半导体层,所述导电电极电性连接于所述P型半导体层与所述N型半导体层两者的其中一个上,且所述暂无电极端设置在所述P型半导体层与所述N型半导体层两者的另外一个上。
3.一种图像显示设备,其特征在于,所述图像显示设备包括:
一基板结构,所述基板结构包括一电路基板;
一发光二极管芯片群组,所述发光二极管芯片群组包括电性连接于所述电路基板的多个发光二极管芯片结构,每一所述发光二极管芯片结构包括一发光二极管芯片主体、设置在所述发光二极管芯片主体的一底端上的一第一导电电极以及设置在所述发光二极管芯片主体的一顶端上的一第二导电电极;以及
一导电连接结构,所述导电连接结构包括多个第一导电层以及多个第二导电层;
其中,每一所述第一导电层电性连接于相对应的所述发光二极管芯片结构的所述第一导电电极与所述电路基板之间,且每一所述第二导电层电性连接于相对应的所述发光二极管芯片结构的所述第二导电电极与所述电路基板之间;
其中,所述第一导电层至少由一热熔材料所形成,多个所述第一导电层的多个所述热熔材料之中具有至少两种以上不同的熔点,
其中,所述热熔材料至少包括相互混合的一第一焊锡材料以及一第二焊锡材料,且所述第一焊锡材料的熔点与所述第二焊锡材料的熔点相异,多个所述热熔材料中的多个所述第二焊锡材料具有至少两种以上不同的熔点。
4.根据权利要求3所述的图像显示设备,其特征在于,所述电路基板包括多个第一导电焊垫以及分别与所述第一导电焊垫相对应的多个第二导电焊垫,每一所述第一导电层设置在相对应的所述发光二极管芯片结构的所述第一导电电极与相对应的所述第一导电焊垫之间,且每一所述第二导电层从相对应的所述发光二极管芯片结构的所述第二导电电极延伸至相对应的所述第二导电焊垫。
5.根据权利要求3所述的图像显示设备,其特征在于,所述电路基板包括多个第一导电焊垫以及分别与所述第一导电焊垫相对应的多个第二导电焊垫,每一所述第一导电层设置在相对应的所述发光二极管芯片结构的所述第一导电电极与相对应的所述第一导电焊垫之间,且每一所述第二导电层从相对应的所述发光二极管芯片结构的所述第二导电电极延伸至相对应的所述第二导电焊垫;其中,所述导电连接结构包括多个电性阻隔层,且每一所述电性阻隔层设置在相对应的所述发光二极管芯片结构与相对应的所述第二导电层之间,以绝缘地阻隔所述第一导电层与所述第二导电层之间的接触;其中,所述热熔材料至少包括相互混合的一第一焊锡材料以及一第二焊锡材料,且所述第一焊锡材料的熔点与所述第二焊锡材料的熔点相同或者相异。
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