[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的薄膜晶体管、栅极线和源极线；栅极线和源极线相互绝缘，且用于驱动薄膜晶体管；薄膜晶体管包括：栅极、源极、栅极绝缘层、半导体图形、像素电极以及第一连接金属图形；其中，栅极和源极彼此间隔地形成于衬底基板上，栅极绝缘层覆盖衬底基板的形成有栅极和源极的表面，半导体图形、像素电极以及第一连接金属图形形成于栅极绝缘层上；像素电极和第一连接金属图形相互间隔地覆盖在半导体图形上，以在半导体图形上形成沟道区域，第一连接金属图形与源极电连接。本发明减少了光刻工艺的次数，简化了阵列基板的形成过程，降低了制造成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。

目前，阵列基板的制作方法中一般包括六次光刻工艺，该方法包括：第一步：在玻璃基板上沉积金属层，进行第一次光刻，形成栅极；第二步，依次沉积栅极绝缘层和铟镓锌氧化物IGZO半导体层，进行第二次光刻，以形成半导体图形；第三步，沉积保护层，并进行第三次光刻，以形成保护图形；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻，以形成源极和漏极；第五步，沉积钝化层和平坦化层，并进行第五次光刻工艺，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极以及导电过孔和像素电极的连通图形。

然而，上述现有技术的阵列基板，其制作过程需要经历六次光刻工艺制程，工艺复杂，且制作成本高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法，能够减少光刻工艺次数，工艺简单且制造成本低。

本发明第一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板、设置于衬底基板上的薄膜晶体管、栅极线和源极线；栅极线和源极线相互绝缘，且用于驱动薄膜晶体管；薄膜晶体管包括：栅极、源极、栅极绝缘层、半导体图形、像素电极以及第一连接金属图形；其中，栅极和源极彼此间隔地形成于衬底基板上，栅极绝缘层覆盖衬底基板的形成有栅极和源极的表面，半导体图形、像素电极以及第一连接金属图形形成于栅极绝缘层上；像素电极和第一连接金属图形相互间隔地覆盖在半导体图形上，以在半导体图形上形成沟道区域，第一连接金属图形与源极电连接。

源极和栅极同层，且形成在衬底基板上，因此源极可以和栅极一起通过一次光刻工艺形成，将半导体图形、像素电极和第一连接金属图形形成在栅极绝缘层上，像素电极直接覆盖半导体图形，因此省略了传统意义上的漏极，并且，覆盖半导体图形的第一连接金属图形可与像素电极一起通过一次光刻工艺实现；这与现有技术相比，至少省略了单独生成源极和漏极的光刻工艺，因此减少了光刻工艺的次数，简化了阵列基板的形成过程，降低了制造成本。

在一种可能的实现方式中，栅极绝缘层上与源极对应的位置处还形成有第一导电过孔，第一连接金属图形经由第一导电过孔和源极电连接。

在一种可能的实现方式中，栅极线和源极线在空间上彼此交叉，且栅极线和源极线在空间上彼此交叉的区域之间夹设有绝缘层。

在一种可能的实现方式中，源极线包括多个在源极线的延伸方向上交替布置的贴合部和架桥部，贴合部形成在衬底基板上，且每个贴合部位于相邻的两条栅极线之间，架桥部形成在栅极绝缘层上，且用于电连接沿同一条源极线上相邻的两个贴合部。

在一种可能的实现方式中，栅极绝缘层上与贴合部的端部对应的位置处还形成有第二导电过孔，架桥部经由第二导电过孔与对应的贴合部电连接。