[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法有效
| 申请号: | 202010448348.2 | 申请日: | 2020-05-25 |
| 公开(公告)号: | CN111584523B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
| 发明(设计)人: | 赵亚雄;李广圣;蒋雷;黄学勇;邱双;吴丹 | 申请(专利权)人: | 成都京东方显示科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 显示 面板 以及 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的薄膜晶体管、栅极线和源极线;所述栅极线和源极线相互绝缘,且用于驱动所述薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管包括:栅极、源极、栅极绝缘层、半导体图形、像素电极以及第一连接金属图形;其中,所述栅极和源极同层且彼此间隔地形成于所述衬底基板上,所述栅极绝缘层覆盖所述衬底基板的形成有所述栅极和源极的表面,所述半导体图形、像素电极以及第一连接金属图形均形成于所述栅极绝缘层上;所述像素电极和所述第一连接金属图形相互间隔地覆盖在所述半导体图形上,以在所述半导体图形上形成沟道区域,所述第一连接金属图形与所述源极电连接;
所述栅极绝缘层上与所述源极对应的位置处形成有第一导电过孔,所述第一连接金属图形经由所述第一导电过孔和所述源极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述栅极线和所述源极线在空间上彼此交叉,且所述栅极线和所述源极线在空间上彼此交叉的区域之间夹设有绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述源极线包括多个在所述源极线的延伸方向上交替布置的贴合部和架桥部,所述贴合部形成在所述衬底基板上,且每个所述贴合部位于相邻的两条所述栅极线之间,所述架桥部形成在所述栅极绝缘层上,且用于电连接在同一条源极线上相邻的两个所述贴合部。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,
所述栅极绝缘层上与所述贴合部的端部对应的位置处还形成有第二导电过孔,所述架桥部经由所述第二导电过孔与对应的所述贴合部电连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素电极包括相互层叠的JAS图形和像素电极本体,所述JAS图形覆盖在所述半导体图形上。
6.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括在衬底基板上形成薄膜晶体管、以及栅极线和源极线的步骤,所述在衬底基板上形成薄膜晶体管包括:
在所述衬底基板上沉积栅源金属层,并进行第一次光刻工艺,使所述栅源金属层形成同层的栅极和源极;
在形成有栅极和源极的衬底基板上沉积栅极绝缘层,并进行第二次光刻工艺,以在所述栅极绝缘层上位于所述源极上方的区域形成第一导电过孔;
在所述栅极绝缘层上沉积半导体层,并进行第三次光刻工艺,使所述半导体层形成半导体图形;
在形成有所述半导体图形的栅极绝缘层上沉积透明导电层,并进行第四次光刻工艺,使所述透明导电层形成覆盖所述半导体图形的像素电极和第一连接金属图形,并使所述像素电极和所述第一连接金属图形之间形成沟道区域,且述第一连接金属图形经由所述第一导电过孔和所述源极电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述源极线包括多个在所述源极线的延伸方向上交替布置的贴合部和架桥部,所述在所述衬底基板上形成栅极线和源极线,具体包括:
通过所述第一次光刻工艺,使所述栅源金属层还形成所述栅极线和所述贴合部,并使每个所述贴合部位于相邻的两条所述栅极线之间;
通过所述第二次光刻工艺,以在所述栅极绝缘层上位于所述贴合部端部上方的区域形成第二导电过孔;
通过所述第四次光刻工艺,使所述透明导电层还形成多个所述架桥部,并使所述架桥部经由所述第二导电过孔,电连接同一条源极线上、彼此相邻的两个贴合部的端部。
9.根据权利要求7或8所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述透明导电层包括JAS层和像素电极膜层,所述在形成有所述半导体图形的栅极绝缘层上沉积透明导电层,具体包括:在形成有所述半导体图形的栅极绝缘层上依次沉积透明JAS层和像素电极膜层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





