[发明专利]集成电路元件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路元件，其特征在于，包括：

一基材，具有一表面；

一金属内连接结构，形成于该表面上；及

一电阻式随机处理记忆体单元，于该金属内连接结构内形成，该电阻式随机处理记忆体单元包括一底电极层、一顶电极层及位于该底电极层及该顶电极层之间的一转换层；其中该顶电极层的一顶部及该底电极层的一顶部在该基材上具有相等高度。

2.根据权利要求1所述的集成电路元件，其特征在于：

该电阻式随机处理记忆体单元具有多个边缘，所述多个边缘包含该底电极层、该转换层及该顶电极层；并且

所述多个边缘皆位于一平面。

3.根据权利要求2所述的集成电路元件，其特征在于，该平面平行于该表面。

4.根据权利要求1所述的集成电路元件，其特征在于，该底电极层及该转换层终止于多个边缘，所述多个边缘形成对齐于一平面的多个封闭回圈。

5.一种集成电路元件，其特征在于，包括：

一基材，具有一表面；

一金属内连接结构，形成于该表面上；及

一电阻式随机处理记忆体单元，形成于该金属内连接结构内，该电阻式随机处理记忆体单元包括一底电极层、一顶电极层及位于该底电极层及该顶电极层之间的一转换层；其中该电阻式随机处理记忆体单元具有多个边缘，所述多个边缘包含该底电极层、该转换层及该顶电极层；并且

该电阻式随机处理记忆体单元是弯曲的，从而所述多个边缘皆位于一平面。

6.根据权利要求5所述的集成电路元件，其特征在于，该底电极层设置于以低介电系数介电质构成的一矩阵中。

7.根据权利要求5所述的集成电路元件，其特征在于：

该电阻式随机处理记忆体单元具有一面积，该面积包括一底面积及一侧面积；并且

该侧面积大于该底面积。

8.一种集成电路元件的制造方法，其特征在于，包括：

于一半导体基材上形成一金属内连接层；

于该金属内连接层上形成一介电层；

于该介电层中形成一开口；

于该开口上形成一电阻式随机处理记忆体单元堆叠；及

平坦化在该开口内的该电阻式随机处理记忆体单元堆叠，以形成一电阻式随机处理记忆体单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该介电层为低介电系数介电层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成该低介电系数介电层之前，于该金属内连接层上形成一蚀刻停止层；

于该蚀刻停止层中形成一通孔开口；及

以一金属填充该通孔开口，以形成用于该电阻式随机处理记忆体单元的一底电极通孔。