[发明专利]一种低通结构、滤波器及通信设备在审

专利信息
申请号: 202010443872.0 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN113725572A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 刘学鑫 申请(专利权)人: 大富科技(安徽)股份有限公司
主分类号: H01P1/207 分类号: H01P1/207
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 黎坚怡
地址: 233000 安徽省蚌埠*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 结构 滤波器 通信 设备
【权利要求书】:

1.一种低通结构,其特征在于,所述低通结构设置于滤波器,所述低通结构至少包括第一低通结构体以及第二低通结构体,所述第一低通结构体与所述第二低通结构体相对于所述滤波器的腔体底壁直立设置。

2.根据权利要求1所述的低通结构,其特征在于,所述低通结构至少还包括连体低通座,所述连体低通座至少包括第一低通座、第二低通座以及第一底座,所述第一低通座用于装配第一低通结构体,所述第二低通座用于装配第二低通结构体;所述第一低通座与所述第二低通座相对于所述滤波器的腔体底壁直立设置,所述第一低通座的一端与所述第二低通座的一端设置于所述第一底座,所述第一低通座与所述第二低通座相邻设置。

3.根据权利要求2所述的低通结构,其特征在于,

所述连体低通座还包括第一连接片,所述第一连接片固定在所述第一底座,用于连接所述第一低通结构体和所述第二低通结构体;

所述第一底座的底部设置一开口,所述连体低通座还包括封口片,所述封口片设置在所述开口上,用于密封所述连体低通座。

4.根据权利要求2所述的低通结构,其特征在于,

所述第一低通座的内壁和所述第二低通座的内壁均设置有绝缘层。

5.根据权利要求2所述的低通结构,其特征在于,

所述低通结构还包括第三低通结构体,所述连体低通座还包括第三低通座以及第二底座,所述第三低通座用于装配所述第三低通结构体,所述第二低通座的另一端与所述第三低通座的一端设置于所述第二底座,所述第三低通座与所述第二低通座相邻设置。

6.根据权利要求5所述的低通结构,其特征在于,

所述连体低通座还包括第二连接片,所述第二连接片固定在所述第二底座,用于连接所述第二低通结构体与所述第三低通结构体。

7.根据权利要求5所述的低通结构,其特征在于,

所述第一连体低通座的长度大于所述第二低通座以及所述第三低通座的长度,所述第一低通座第一端设置于所述腔体内,所述第一低通座的另一端设置于所述腔体外,所述第二低通座与所述第三低通座均设置于所述腔体内。

8.根据权利要求5所述的低通结构,其特征在于,

所述低通结构还包括第四低通结构体,所述连体低通座还包括第四低通座以及第三连接片,所述第四低通座相对于所述滤波器的底壁水平设置,所述第三连接片用于连接所述第三低通结构体与所述第四低通结构体。

9.一种滤波器,其特征在于,所述滤波器至少包括:

腔体,设置于所述腔体的低通结构,所述低通结构为权利要求1-8任一项所述的低通结构。

10.一种通信设备,其特征在于,所述通信设备包括如权利要求1-8任一项所述的低通结构。

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