[发明专利]一种半导体器件的封装方法

权利要求书

1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一载体，在所述载体上设置第一半导体器件、第二半导体器件以及第三半导体器件；

2)在所述载体上沉积第一介质薄层，所述第一介质薄层共形的覆盖所述载体、所述第一半导体器件、所述第二半导体器件以及所述第三半导体器件；

3)接着在所述载体上旋涂含有树脂材料的第一溶液，其中，所述含有树脂材料的第一溶液中树脂材料的浓度为30-60mg/ml，接着进行烘干处理以形成第一树脂层，所述第一树脂层共形的覆盖所述载体、所述第一半导体器件、所述第二半导体器件以及所述第三半导体器件；

4)接着在所述载体上设置第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一半导体器件的上表面和侧表面以及所述第二半导体器件的上表面和侧表面，接着沉积金属材料以形成第一金属屏蔽屏蔽层，所述第一金属屏蔽屏蔽层覆盖所述第一半导体器件的上表面和侧表面以及所述第二半导体器件的上表面和侧表面，接着去除第一掩膜；

5)接着在所述载体上设置第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第一半导体器件的上表面和侧表面，接着旋涂第一含有金属纳米线的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第一金属纳米线屏蔽层，所述第一金属纳米线屏蔽层仅覆盖所述第一半导体器件的上表面和侧表面，接着移除所述第二掩膜；

6)接着在所述载体上旋涂含有树脂材料的第二溶液，其中，所述含有树脂材料的第二溶液中树脂材料的浓度为50-100mg/ml，接着进行烘干处理以形成第二树脂层，所述第二树脂层共形的覆盖所述载体、所述第一半导体器件、所述第二半导体器件以及所述第三半导体器件；

7)接着在所述载体上设置第三掩膜，所述第三掩膜仅暴露所述第三半导体器件的所在的区域，接着旋涂第二含有金属纳米线的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第二金属纳米线屏蔽层，所述第二金属纳米线屏蔽层仅覆盖所述第三半导体器件的上表面和侧表面，接着移除所述第三掩膜；

8)接着在所述载体上形成树脂封装层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤2)中，通过PECVD法、ALD法、热氧化法或PVD法形成所述第一介质薄层，所述第一介质薄层的材质是氧化硅、氧化锆、氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、氧化钽、氧化铝中的一种，所述第一介质薄层的厚度为20-50纳米。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤3)和6)中，所述第一溶液和所述第二溶液中的树脂材料均包括环氧树脂、丙烯酸树脂、硅胶、BCB、聚乙烯醇、聚苯乙烯、PMMA、PET、PC中的一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤4)中，所述金属材料包括金、铜、铝、镍、钴、铁、银、钯、钛中的一种或多种，所述第一金属屏蔽屏蔽层的沉积方法为热蒸发、磁控溅射、电子束蒸发、电镀以及化学镀中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤5)中，所述第一含有金属纳米线的悬浮液中的金属纳米线为金纳米线、银纳米线、铜纳米线、镍纳米线、铜钴纳米线、铜钴镍纳米线中的一种，所述第一含有金属纳米线的悬浮液中的金属纳米线的浓度为10-30mg/ml。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤7)中，所述第二含有金属纳米线的悬浮液中的金属纳米线为金纳米线、银纳米线、铜纳米线、镍纳米线、铜钴纳米线、铜钴镍纳米线中的一种，所述第二含有金属纳米线的悬浮液中的金属纳米线的浓度为5-20mg/ml，且所述第二含有金属纳米线的悬浮液中的金属纳米线的浓度小于所述第一含有金属纳米线的悬浮液中的金属纳米线的浓度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于：在所述步骤8)中，所述树脂封装层的材料包括环氧树脂，通过模塑工艺形成所述树脂封装层。