[发明专利]一种半导体器件的封装方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件的封装方法，包括以下步骤：在载体上设置第一半导体器件、第二半导体器件以及第三半导体器件；在所述载体上形成第一介质薄层和第一树脂层，利用第一掩膜形成覆盖第一半导体器件和第二半导体器件的第一金属屏蔽屏蔽层，利用第二掩膜形成覆盖第一半导体器件的第一金属纳米线屏蔽层，接着形成第二树脂层，接着利用第三掩膜形成第二金属纳米线屏蔽层，所述第二金属纳米线屏蔽层仅覆盖所述第三半导体器件，接着在所述载体上形成树脂封装层。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种半导体器件的封装方法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐进入多功能、高性能的研发方向。为满足半导体元件高积集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求，电磁屏蔽的各项要求也越来越高。伴随着微型化的要求，势必需要提升整体电磁屏蔽的可靠度。为了改善上述的问题，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有高可靠度的半导体器件的封装方法，实属当前重要研发课题之一，也成为当前相关领域亟需改进的目标。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体器件的封装方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种半导体器件的封装方法，包括以下步骤：

1)提供一载体，在所述载体上设置第一半导体器件、第二半导体器件以及第三半导体器件。

2)在所述载体上沉积第一介质薄层，所述第一介质薄层共形的覆盖所述载体、所述第一半导体器件、所述第二半导体器件以及所述第三半导体器件。

3)接着在所述载体上旋涂含有树脂材料的第一溶液，其中，所述含有树脂材料的第一溶液中树脂材料的浓度为30-60mg/ml，接着进行烘干处理以形成第一树脂层，所述第一树脂层共形的覆盖所述载体、所述第一半导体器件、所述第二半导体器件以及所述第三半导体器件。

4)接着在所述载体上设置第一掩膜，所述第一掩膜仅暴露所述第一半导体器件的上表面和侧表面以及所述第二半导体器件的上表面和侧表面，接着沉积金属材料以形成第一金属屏蔽屏蔽层，所述第一金属屏蔽屏蔽层覆盖所述第一半导体器件的上表面和侧表面以及所述第二半导体器件的上表面和侧表面，接着去除第一掩膜。

5)接着在所述载体上设置第二掩膜，所述第二掩膜仅暴露所述第一半导体器件的上表面和侧表面，接着旋涂第一含有金属纳米线的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第一金属纳米线屏蔽层，所述第一金属纳米线屏蔽层仅覆盖所述第一半导体器件的上表面和侧表面，接着移除所述第二掩膜。

6)接着在所述载体上旋涂含有树脂材料的第二溶液，其中，所述含有树脂材料的第二溶液中树脂材料的浓度为50-100mg/ml，接着进行烘干处理以形成第二树脂层，所述第二树脂层共形的覆盖所述载体、所述第一半导体器件、所述第二半导体器件以及所述第三半导体器件。

7)接着在所述载体上设置第三掩膜，所述第三掩膜仅暴露所述第三半导体器件的所在的区域，接着旋涂第二含有金属纳米线的悬浮液，接着进行烘干处理，以形成第二金属纳米线屏蔽层，所述第二金属纳米线屏蔽层仅覆盖所述第三半导体器件的上表面和侧表面，接着移除所述第三掩膜。

8)接着在所述载体上形成树脂封装层。

作为优选，在所述步骤2)中，通过PECVD法、ALD法、热氧化法或PVD法形成所述第一介质薄层，所述第一介质薄层的材质是氧化硅、氧化锆、氧化铪、氮化硅、氮氧化硅、氧化钽、氧化铝中的一种，所述第一介质薄层的厚度为20-50纳米。

作为优选，在所述步骤3)和6)中，所述第一溶液和所述第二溶液中的树脂材料均包括环氧树脂、丙烯酸树脂、硅胶、BCB、聚乙烯醇、聚苯乙烯、PMMA、PET、PC中的一种。