[发明专利]一种电源管理芯片的使能电路

说明书

一种电源管理芯片的使能电路包括N型场效应管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5，二极管D1、D2、电阻R1、R2、R3，N型场效应管MNE1……MNEn‑1，MNEn和电源芯片功能电路；所述N型场效应管MNE1……MNEn‑1，MNEn的源极接地，漏极连接电源芯片功能电路后接电源，栅极相连后接于N型场效应管MN0的栅极。本发明采用常规的CMOS工艺设计，使能电路直接从芯片电源取电，快速决定电源芯片功能电路是否需正常工作；使能控制管可采用低压架构的场效应管，栅极电容较小，可以快速响应芯片的输入控制状态，并且在生产时可减少掩模成本和节省芯片面积。

技术领域

本发明涉及一种使能电路，特别提供一种电源管理芯片的使能电路。

背景技术

电源管理芯片种类繁多，包括LDO，DC-DC，AC-DC等不同类型，广泛的应用于消费类电子，家电设备，工业应用等领域。在电源管理芯片的应用过程中，为了便于系统对电源管理芯片的控制，一般芯片外部会设置一个使能脚位，来实现电源芯片的切换、休眠唤醒等不同的功能。

电源管理芯片使能控制电路传统的做法是从芯片内部稳压电源供电，而该电源来自于芯片内部转换后的稳压电源，其建立需要一定的时间。在极端情况下，电源管理芯片需要快速响应外部的使能控制信号，否则芯片的输出有可能危害到芯片所带负载的安全性。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种可以快速响应芯片的输入控制状态的电源管理芯片的使能电路。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：一种电源管理芯片的使能电路包括N型场效应管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5 ，二极管D1、D2、电阻R1、R2、R3，N型场效应管MNE1……MNEn-1，MNEn和电源芯片功能电路；所述N型场效应管MN1、MN2和所述二极管D1、D2依次串联后接于电源与地线间；所述N型场效应管MN2、MN3、MN4的栅极相连，所述N型场效应管MN2的栅极和漏极短接；所述N型场效应管MN3的漏极串接电阻R1后接电源，源极连接N型场效应管MN0的漏极；所述N型场效应管MN0的源极接于N型场效应管MN2和二极管D1之间，栅极连接N型场效应管MN5后接地；所述N型场效应管MN5的栅极接入EN信号；所述N型场效应管MN4的源极连接电阻R3后接N型场效应管MN0的栅极，漏极连接电阻R2后接电源；所述N型场效应管MNE1……MNEn-1，MNEn的源极接地，漏极连接电源芯片功能电路后接电源，栅极相连后接于N型场效应管MN0的栅极。

本发明的有益效果是：（1）采用常规的CMOS工艺设计，使能电路直接从芯片电源取电，快速决定电源芯片功能电路是否需正常工作；（2）使能控制管可采用低压架构的场效应管，栅极电容较小，可以快速响应芯片的输入控制状态，并且在生产时可减少掩模成本和节省芯片面积。

附图说明

图1为本发明电路结构图；图2为本发明使能控制输入和输出电压信号的示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细描述本发明的具体实施方式。

如图1所示：一种电源管理芯片的使能电路包括N型场效应管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5 ，二极管D1、D2、电阻R1、R2、R3，N型场效应管MNE1……MNEn-1，MNEn和电源芯片功能电路；所述N型场效应管MN1、MN2和所述二极管D1、D2依次串联后接于电源与地线间；所述N型场效应管MN2、MN3、MN4的栅极相连，所述N型场效应管MN2的栅极和漏极短接；所述N型场效应管MN3的漏极串接电阻R1后接电源，源极连接N型场效应管MN0的漏极；所述N型场效应管MN0的源极接于N型场效应管MN2和二极管D1之间，栅极连接N型场效应管MN5后接地；所述N型场效应管MN5的栅极接入EN信号；所述N型场效应管MN4的源极连接电阻R3后接N型场效应管MN0的栅极，漏极连接电阻R2后接电源；所述N型场效应管MNE1……MNEn-1，MNEn的源极接地，漏极连接电源芯片功能电路后接电源，栅极相连后接于N型场效应管MN0的栅极。