[发明专利]一种电源管理芯片的使能电路在审
申请号: | 202010436018.1 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN113726124A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 刘玉山;刘玉龙;张梁堂 | 申请(专利权)人: | 厦门易创芯诚微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M1/36;H02H7/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361011 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 管理 芯片 电路 | ||
1.一种电源管理芯片的使能电路,其特征在于:包括N型场效应管MN0、MN1、MN2、MN3、MN4、MN5 ,二极管D1、D2、电阻R1、R2、R3,N型场效应管MNE1……MNEn-1,MNEn和电源芯片功能电路;所述N型场效应管MN1、MN2和所述二极管D1、D2依次串联后接于电源与地线间;所述N型场效应管MN2、MN3、MN4的栅极相连,所述N型场效应管MN2的栅极和漏极短接;所述N型场效应管MN3的漏极串接电阻R1后接电源,源极连接N型场效应管MN0的漏极;所述N型场效应管MN0的源极接于N型场效应管MN2和二极管D1之间,栅极连接N型场效应管MN5后接地;所述N型场效应管MN5的栅极接入EN信号;所述N型场效应管MN4的源极连接电阻R3后接N型场效应管MN0的栅极,漏极连接电阻R2后接电源;所述N型场效应管MNE1……MNEn-1,MNEn的源极接地,漏极连接电源芯片功能电路后接电源,栅极相连后接于N型场效应管MN0的栅极。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置