[发明专利]一种半导体结构及其加工工艺及电子产品

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括芯片、相互独立的芯片支架(100)以及引脚(200)，所述芯片(400)设置在所述芯片支架(100)与所述引脚(200)之间，所述芯片(400)上的焊盘直接与所述引脚(200)电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述芯片(400)包括芯片正面以及芯片背面，所述芯片正面朝上的设置在所述芯片支架(100)上。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述引脚(200)具有第一弯折部(210)以及第二弯折部(230)，所述第一弯折部(210)与所述第二弯折部(230)相互平行，所述第一弯折部(210)与所述芯片正面焊接连接，所述第二弯折部(230)与所述芯片支架(100)平齐。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一弯折部(210)与所述第二弯折部(230)通过中间连接部(220)连接，所述第一弯折部(210)、所述中间连接部(220)以及所述第二弯折部(230)为一体结构。

5.一种半导体加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供引线框架，所述引线框架包括相互独立的芯片支架(100)以及引脚(200)；

S2、镀锡(300)，分别在所述芯片支架(100)以及所述引脚(200)上镀锡(300)；

S3、贴片，将芯片贴装在所述芯片支架(100)上；

S4、引脚(200)焊接，将引脚(200)焊接在芯片正面。

6.根据权利要求5所述的半导体加工工艺，其特征在于，步骤S2镀锡(300)包括：

S21、第一次镀锡(300)，在芯片支架(100)上进行镀锡(300)；

S22、第二次镀锡(300)，在引脚(200)上进行镀锡(300)。

7.根据权利要求6所述的半导体加工工艺，其特征在于，步骤S3贴片采用贴片机进行，所述贴片机采用热贴片机，所述热贴片机的芯片焊接部加热到200至500℃对芯片进行贴片键合。

8.根据权利要求7所述的半导体加工工艺，其特征在于，步骤S3贴片采用贴片机进行，所述贴片机为芯片抓取装置，所述贴片过程中，在所述芯片支架(100)的底部对应所述芯片的位置进行加热，使镀锡(300)的温度达到200至500℃。

9.根据权利要求8所述的半导体加工工艺，其特征在于，于所述镀锡(300)之前还包括表面处理，对所述引线支架以及所述引脚(200)分别进行去氧化处理。

10.一种电子产品，其特征在于，具有权利要求1-4中任一项所述的半导体结构。