[发明专利]基于March算法优化的DRAM检测故障方法、装置及系统在审

专利信息
申请号: 202010430365.3 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN112053732A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 李斌 申请(专利权)人: 深圳市宏旺微电子有限公司
主分类号: G11C29/18 分类号: G11C29/18;G11C29/54
代理公司: 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 代理人: 林国友
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 march 算法 优化 dram 检测 故障 方法 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种基于March算法优化的DRAM检测故障方法,其特征在于,包括:

定位DRAM存储器内各单元的读写地址;

加载预存的新型改进算法以获取与读写地址数量和位置相应的测试写入值和与所述测试写入值对应的测试读取值;

将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置;

对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值;

比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则;

若否,则判定所述DRAM存在故障。

2.根据权利要求1所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法,其特征在于,所述新型改进算法包括顺序写读数据算法,所述测试写入值包括第一pattern值,所述测试读取值采用与测试写入值相同的第一pattern值;所述将所述测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置,对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值,比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则,若否,则判定所述DRAM存在故障的步骤包括:

确定DRAM存储器中各个读写地址的顺序排列;

从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序写入所述测试写入值的第一pattern值;

从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序读取所述实际读取值;

判断读取到的多个所述实际读取值与测试读取值的第一pattern值是否相同;

若存在一项或多项不相同,则判定所述DRAM存在故障。

3.根据权利要求2所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法,其特征在于,所述测试写入值包括与第一pattern值相反的第二pattern值,所述测试读取值采用与测试写入值的第二pattern值相同的第二pattern值;所述将测试写入值一一对应的写入DRAM存储器中各个读写地址位置,对应的获取各个读写地址位置反馈的实际读取值,比对判断所述测试读取值和实际读取值是否符合预设定的验证规则,若否,则判定所述DRAM存在故障的步骤还包括:

确定DRAM存储器中各个读写地址的顺序排列;

从所述各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序写入所述测试写入值的第二pattern值;

从所述各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序读取所述实际读取值;

判断读取到的多个所述实际读取值与所述测试读取值的第二pattern值是否相同;

若存在一项或多项不相同,则判定所述DRAM存在故障。

4.根据权利要求3所述的基于March算法优化的DRAM检测故障方法,其特征在于,提供第一测试缓存将

所述从各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序写入所述测试写入值的第一pattern值;从所述各个读写地址的顺序排列的起始位置直至终点位置按顺序读取所述实际读取值;判断读取到的多个所述实际读取值与测试读取值的第一pattern值是否相同;若存在一项或多项不相同,则判定所述DRAM存在故障;以及

所述从各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序写入所述测试写入值的第二pattern值;从所述各个读写地址的顺序排列的终点位置直至起始位置按顺序读取所述实际读取值;判断读取到的多个所述实际读取值与测试读取值的第二pattern值是否相同;若存在一项或多项不相同,则判定所述DRAM存在故障;中的任一项导入至第一测试缓存中,以同时进行正序与反序故障检测。

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