[发明专利]用于改进的电接触的透明导电氧化物(TCO)薄膜的预处理

权利要求书

1.一种制造光学器件的方法，所述方法包括：

i)将牺牲材料层施加到所述光学器件的一个或多个子层的区域的一部分中；

ii)在所述牺牲材料层和所述光学器件的所述一个或多个子层上沉积所述光学器件的一个或多个材料层；以及

iii)将激光施加到所述部分以便将所述光学器件烧蚀以至少基本移除所述牺牲材料层和任何覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述光学器件是电致变色器件。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个子层包括金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物或金属碳氧化物。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个子层包括TiO₂。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个子层包括金属氧化物，所述金属氧化物选自由氧化铝、氧化钛、TiO₂、氧化钽、氧化铈、氧化锌、氧化锡、硅铝氧化物、氧化钨、镍钨氧化物和氧化的铟锡氧化物组成的组。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个子层包括金属氮化物，所述金属氮化物选自由氮化钛、氮化铝、氮化硅、氮化钽和氮化钨组成的组。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个子层包括金属碳化物，所述金属碳化物选自由碳化钛、碳化铝、碳化硅、碳化钽和碳化钨组成的组。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述光学器件包括WO₃电致变色层和镍基对电极层。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述镍基对电极层包括NiWO或NiTaO。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个子层在所述电致变色器件的下导体层的顶部并直接与其相邻。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述下导体层包括SnO₂。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述下导体层在iii)之后基本完整。

13.如权利要求10所述的方法，其还包括在iii)中暴露的所述下导体层上制造母线。

14.一种光学可切换器件，其包括：

基本透明衬底；

下导体层，其设置在所述基本透明衬底上方；以及

母线，其在牺牲材料层已经被激光烧蚀至少基本移除的所述基本透明衬底的区域的一部分的所述下导体层上，其中所述区域的剩余部分具有电致变色器件堆，所述电致变色器件堆具有在所述下导体层顶部上的所述牺牲材料层和/或子层。

15.如权利要求14所述的光学可切换器件，其中所述电致变色器件堆进一步包括一个或多个材料层，并且其中所述一个或多个材料层包括WO₃电致变色层和镍基对电极层。

16.如权利要求15所述的光学可切换器件，其中所述镍基对电极层包括NiWO或NiTaO。

17.如权利要求14所述的光学可切换器件，其中所述光学可切换器件是电致变色器件。

18.如权利要求17所述的光学可切换器件，其中所述子层在所述电致变色器件的所述下导体层的顶部并直接与其相邻。

19.如权利要求14所述的光学可切换器件，其中所述下导体层包括氧化锡。

20.如权利要求14所述的光学可切换器件，其中所述能量源已被施加到所述牺牲材料层。