[发明专利]一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法

权利要求书

1.一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，包括步骤：

第一步，对电路进行混合三维布局，获得粗略分层结果，同时产生硅通孔；

第二步，根据混合三维布局的结果进行混合二维布局，获得精确布局结果；

第三步，根据获得的精确布局结果，对宏单元进行合法化，减小宏单元与其他单元的重叠，然后固定宏单元；

第四步，对标准单元进行三维布局；

第五步，对标准单元进行二维布局；

第六步，完成三维集成电路的详细布局，获得最终优化布局结果。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第一步中，通过将标准单元以及宏单元进行混合三维布局，使原本在一层的单元进行分离，产生粗略的分层结果；同时因为有分层，所以间接产生出了硅通孔，并对硅通孔进行初始化。

3.根据权利要求2所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第二步中，对第一步中分离出的每一层进行优化布局，其中布局对象包括宏单元、标准单元以及新产生的硅通孔。

4.根据权利要求3所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第三步中，先对减少宏单元与自身以及其他单元间的重叠，然后宏单元固定位置，使布局中宏单元得到合法的最终位置。

5.根据权利要求4所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第四步中，将标准单元在层间移动，进行标准单元的三维布局。

6.根据权利要求5所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第五步中，单独地在每一层移动标准单元以及硅通孔进行布局，进行标准单元的二维布局。

7.根据权利要求6所述的一种基于硅通孔的三维集成电路布局方法，其特征在于，在第六步中，利用电路的现有详细布局，对第四步后所获得的布局结果进行合法化，产生最终优化布局结果，其中布局对象包括标准单元以及硅通孔。