[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的栅极结构；

分别位于所述栅极结构两侧衬底表面的第一电互连结构；

位于所述栅极结构顶部表面的第二电互连结构，所述第二电互连结构与所述栅极结构电互连，所述第二电互连结构包括2层以上的第一电互连层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电互连层的线宽与所述栅极结构的宽度的比例范围为1.2:1至2:1。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电互连层的线宽范围包括20纳米至200纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一电互连结构顶部表面的第三电互连结构，所述第三电互连结构与所述第一电互连结构电互连，所述第三电互连结构包括2层以上的第二电互连层。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连层的线宽与所述第一电互连结构的宽度的比例范围为1.1:1至2.5:1。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连层的线宽范围包括22纳米至450纳米。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电互连层的材料包括金属材料。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连层的材料包括金属材料。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连结构还包括：位于相邻的所述第一电互连层之间的若干第一导电插塞。

10.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电互连结构还包括：位于相邻的所述第二电互连层之间的若干第二导电插塞。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构与所述第二电互连结构之间的第三导电插塞。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一电互连结构与所述第三电互连结构之间的第四导电插塞。

13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电互连结构还位于部分所述衬底表面。

14.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电互连结构还位于部分所述衬底表面。

15.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构，所述栅极结构横跨所述若干鳍部结构。

16.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构两侧的鳍部结构内具有掺杂层，并且，每个所述第一电互连结构横跨所述掺杂层。

17.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内具有第一离子，所述掺杂层内具有第二离子，且所述第一离子与所述第二离子的导电类型相同。

18.如权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内具有第一离子，所述掺杂层内具有第二离子，且所述第一离子与所述第二离子的导电类型相反。