[发明专利]一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法

权利要求书

1.一种MEMS微加工传感器阵列微结构体，其特征在于：所述MEMS微加工传感器阵列微结构体的制作包括以下几个步骤：

步骤一：选择合适的板状材料作为基底材料；

步骤二：对基底材料进行镀膜处理；

步骤三：选择合适的薄膜材料，并在薄膜材料上绘制待加工微结构的图形；

步骤四：将步骤三中的薄膜材料覆盖在基底材料的最上方，并固定薄膜材料；

步骤五：对基底材料进行开槽处理；

步骤六：在步骤四中的薄膜材料上制作阵列微结构体；

步骤七：将步骤六中制作好的阵列微结构体与待测物体固定。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述阵列微结构体包括基块结构、薄膜材料、基底材料和底板，且基块结构、薄膜材料、基底材料和底板从上到下依次设置，并且基块结构、薄膜材料、基底材料和底板接触位置均固定连接。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述基底材料的上表面与薄膜材料通过PVC覆膜胶水相连接，且基底材料的下表面粘贴连接有底板，并且底板的下表面为凹凸状结构的橡胶材料。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述基底材料的材质为硅片，且基底材料上表面的薄膜材料为透明的PVC材料，并且薄膜材料表面绘制的图形可以为矩形、正方形或圆形中的一种，而且该矩形、正方形或圆形均呈阵列方式分布。

5.根据权利要求4所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述矩形、正方形或圆形的阵列周期为100nm～10um，结构总体尺寸大于5um。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述基底材料处理的方式包括镀膜处理和开槽处理，其中：

镀膜处理为：采用热蒸镀和磁控溅射的方式在基底材料上镀铝膜；

开槽处理为：使用激光开槽技术在基底材料和薄膜材料上的表面均开设对应的矩形、正方形或圆形中的任一种形状的凹槽。

7.根据权利要求1所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述步骤五中的阵列微结构体通过激光加工、高能粒子束加工、电火花加工和机械加工的方式制作基块结构，并保证基块结构与基板上的凹槽结构一一对应设置。

8.根据权利要求1所述的一种MEMS微加工传感器阵列微结构体的方法，其特征在于：所述步骤七中阵列微结构体与待测物体固定的步骤包括以下几个步骤：

步骤1：使用夹具或者其他固定结构将待测物体固定在台面上；

步骤2：在阵列微结构体中的底板下表面均匀涂抹PVC胶水，并在待测物体的表面均匀涂抹胶水；

步骤3：将底板与待测物体的对应位置对齐并按压，使用热风机构对胶水进行烘干；

步骤4：将固定好阵列微结构体的待测物体与MEMS微加工传感器配合，用于位移的检测。