[发明专利]一种应用于先进控制系统的线宽控制方法

说明书

本发明公开了一种应用于先进控制系统的线宽控制方法，包括如下步骤：设置第1次曝光的原始曝光能量E_exp(1)，并进行曝光；第1次曝光完成之后，计算第1次曝光的实际曝光能量E_l(1)以及预测曝光能量E_p(1)，且E_p(1)＝E(1)/f(1)；重复步骤S01‑S02，设置第x次曝光的原始曝光能量E_exp(x)等于第x‑1次曝光的预测曝光能量E_p(x‑1)，并进行曝光，再计算第x次曝光的实际曝光能量E_l(x)以及预测曝光能量E_p(x)；直至完成整个曝光过程；其中，E(x)表示采用平均方法计算出的初始预测曝光能量，f(x)为单调递增的调整公式，f(x)∈(0,1)，且随着x的增大，f(x)趋近于1。本发明通过对平均方法的修正，减少线宽控制过程中初始时期的偏差，在早期获得更好的曝光能量预测，使曝光后的晶圆更快的达到线宽标准。

技术领域

本发明涉及半导体生产制造领域，具体涉及一种应用于先进控制系统的线宽控制方法。

背景技术

在半导体生产制造系统中，先进控制(Advanced Process Control，APC)系统通过与设备自动化(Equipment Automation Programing，EAP)系统和制造执行系(Manufacturing Execution System，MES)系统相互配合，对生产过程中相关参数进行控制，提升制造晶圆的线宽、套刻精度等。

针对制造过程中，晶圆的线宽控制，业界通常采用平均的控制办法来预测曝光能量，利用之前的测试数据或生产数据预测下一批晶圆的曝光能量，以达到期望的线宽长度。

在APC系统中，先采用平均方法计算第x次曝光的预测曝光能量，并将其设置为第x+1次曝光的原始曝光能量。在进行初期数据计算时，存在预测曝光能量与实际曝光能量偏差较大的情况，而随着轮数的增多，初期值的影响几乎可以忽略不计。也就是说，基于平均方法的线宽控制方法，需要大量的测试数据进行预测，该方法在初期预测的曝光能量偏差较大。如何消除曝光初期预测曝光能量偏差较大的现象，已经成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种应用于先进控制系统的线宽控制方法，通过对平均方法的修正，减少线宽控制过程中初始时期的偏差，在早期获得更好的曝光能量预测，使曝光后的晶圆更快的达到线宽标准。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种应用于先进控制系统的线宽控制方法，包括如下步骤：一种应用于先进控制系统的线宽控制方法，包括如下步骤：

S01：设置第1次曝光的原始曝光能量E_exp(1)，并进行曝光；

S02：第1次曝光完成之后，计算第1次曝光的实际曝光能量E_l(1)以及预测曝光能量E_p(1)，且E_p(1)＝E(1)/f(1)；

S03：重复步骤S01-S02，设置第x次曝光的原始曝光能量E_exp(x)等于第x-1次曝光的预测曝光能量E_p(x-1)，并进行曝光，再计算第x次曝光的实际曝光能量E_l(x)以及预测曝光能量E_p(x)；直至完成整个曝光过程；

其中，实际曝光能量E_l(x)根据第x次曝光的原始曝光能量以及线宽进行计算；E(x)表示采用平均方法计算出的初始预测曝光能量，f(x)为单调递增的调整公式，f(x)∈(0,1)，且随着x的增大，f(x)趋近于1，x为大于0的整数。