[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法有效
申请号: | 202010420354.7 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN113690127B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 董鹏 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 方法 | ||
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗装置包括:刷头,用于刷洗晶圆的待清洁表面;基座,用于承载所述刷头,所述基座中具有至少一导电盘,所述导电盘的盘面与所述待清洁表面平行,且所述基座能够围绕其轴线自转;磁场发生结构,用于向所述导电盘发射垂直于所述导电盘的盘面方向的磁场,使得在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。本发明减少甚至是避免了所述待清洁表面对外界环境中颗粒物的吸附,改善了晶圆清洗质量,提高了晶圆产品的良率。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。
背景技术
在半导体的制程过程中,由于各种复杂工艺中的范德华力和静电力的原因,会在晶圆背面吸附大量的微尘颗粒、金属离子、有机物等,导致晶圆缺陷的产生,从而严重影响最终制得的半导体器件的良率和成品率。
为了解决这一问题,当前对晶圆背面处理(Back Surface Treatment,BST)的主要方法是,利用毛刷刷洗与去离子水喷淋相结合。但是,一方面,现有的毛刷大多采用导电性较差的材质制成,这样,在毛刷刷洗晶圆背面的过程中,会因为与晶圆背面的摩擦导致静电的聚集,聚集的静电会吸附环境中的颗粒物至所述晶圆的背面或者用于承载所述晶圆的卡盘背面;另一方面,去离子水的导电率很低,去离子水的喷淋并不利于晶圆背面静电荷的释放。
因此,如何在清洗晶圆背面的过程中避免吸附颗粒物,从而提高晶圆产品的良率,是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法,用于解决现有技术在清洗晶圆背面的过程中易导致颗粒物吸附的问题,以提高晶圆产品的良率。
为了解决上述问题,本发明提供了一种晶圆清洗装置,包括:
刷头,用于刷洗晶圆的待清洁表面;
基座,用于承载所述刷头,所述基座中具有至少一导电盘,所述导电盘的盘面与所述待清洁表面平行,且所述基座能够围绕其轴线自转;
磁场发生结构,用于向所述导电盘发射垂直于所述导电盘的盘面方向的磁场,使得在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。
可选的,所述导电盘的数量为一个,且所述导电盘的轴线与所述基座的轴线重合。
可选的,所述导电盘的数量为多个,且多个所述导电盘关于所述基座的轴线对称分布。
可选的,所述导电盘的形状为扇形,且多个所述导电盘相互接触,形成圆盘形状。
可选的,在沿垂直于所述基座的方向上,所述导电盘的投影至少部分位于所述刷头的投影的外围。
可选的,所述导电盘嵌于所述基座内部;或者
所述导电盘位于所述基座朝向所述刷头的表面。
可选的,还包括:
控制器,连接所述基座与所述磁场发生结构,用于调整所述基座的转速、所述基座的转动方向、所述磁场的方向、所述磁场的强度中的一个或者两个以上。
可选的,所述刷头为导电刷头。
为了解决上述问题,本发明还提供了一种晶圆清洗方法,包括如下步骤:
提供一如上述任一项所述的晶圆清洗装置;
在所述刷头刷洗所述待清洁表面的同时,驱动所述基座围绕其轴线自转、并同时驱动所述磁场发生结构发射所述磁场,在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。
可选的,还包括如下步骤:
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