[发明专利]一种转移石墨烯的操作方法

权利要求书

1.一种转移石墨烯的操作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在生长基底/石墨烯的石墨烯一侧旋涂熔融的石蜡，冷却，获得生长基底/石墨烯/石蜡复合结构；

步骤2，在步骤1获得的复合结构的石蜡层上旋涂保护层材料，获得生长基底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；

步骤3，使用腐蚀性溶液将步骤2获得的复合结构中的生长基底去除，获得石墨烯/石蜡/保护层复合结构；

步骤4，将步骤3获得的复合结构在35℃～45℃的去离子水中保持1小时以上，借助石蜡的高热膨胀系数减少石墨烯的褶皱；其中，石墨烯面与水面接触；

步骤5，将步骤4处理后的石墨烯/石蜡/保护层复合结构由水面转移到目标衬底，在目标衬底上干燥，获得目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构；

步骤6，使用不溶解石蜡的有机溶剂，溶解掉目标衬底/石墨烯/石蜡/保护层复合结构中的保护层，获得目标衬底/石墨烯/石蜡复合结构；

步骤7，将步骤6获得的目标衬底/石墨烯/石蜡复合结构，在35℃～45℃下保温预设时间，用于去除石墨烯褶皱；

步骤8，使用有机溶剂清洗去除步骤7处理后的目标衬底/石墨烯/石蜡复合结构中的石蜡层，获得目标衬底/石墨烯结合体，清洗干燥完成转移；

其中，步骤1中，熔融石蜡的温度为50℃～400℃；旋涂速度为100r/min～8000r/min；

步骤1中，在旋涂过程中使用热风枪保持石蜡的熔融状态，复合结构整体温度保持在50℃～100℃范围内；

步骤2中，旋涂保护层材料时，以熔融或溶液的形式旋涂，凝固或溶剂挥发后形成保护层；步骤2中，保护层材料包括：聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚苯烯、聚氯乙烯或纤维素；

所述转移石墨烯的操作方法用于尺寸达到晶圆级的石墨烯薄膜的转移。

2.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的操作方法，其特征在于，步骤1中，生长基底为金属基底或非金属基底。

3.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的操作方法，其特征在于，步骤3中，所述腐蚀性溶液为生长基底的无机或有机腐蚀性溶液。

4.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的操作方法，其特征在于，步骤5中，所述目标衬底包括：金属基片、半导体基片、氧化物基片，聚合物基片，或表面具有微纳米尺度结构的功能性衬底。

5.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的操作方法，其特征在于，步骤6中使用的有机溶剂包括：丙酮、酒精、异丙醇或三氯甲烷。

6.根据权利要求1所述的一种转移石墨烯的操作方法，其特征在于，步骤8中使用的有机溶剂包括：正己烷、正庚烷、甲苯、二甲苯、石油醚、汽油或煤油。