[发明专利]一种晶圆检测方法及装置

说明书

本发明提供一种晶圆检测方法，对待测晶圆的多个位置进行检测，得到待测晶圆的检测厚度，而后利用豪斯多夫距离计算检测厚度和基准厚度的相似度，在计算得到相似度之后，利用相似度表征待测晶圆的形貌。这样，不需要通过多个参数表征晶圆的形貌，仅通过相似度一个参数便可以反映出待测晶圆的形貌情况，相似度越小表示待测晶圆的形貌较好，相似度越大表示待测晶圆的形貌较差，从而提高形貌检测的效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆检测方法及装置。

背景技术

在半导体晶圆的制造过程中，晶圆表面形貌直接影响后续器件加工、键合等工艺的质量，因此需要对晶圆的表面进行检测，目前主要是通过平均量(average)、工程差(range)以及均匀度(NU％或U％)作为监控晶圆膜厚、化学机械研磨去除量、蚀刻制程移除量的参数，从而实现对晶圆表面形貌的检测。此外，现有的晶圆检测方法还通过将晶圆进行切分，切分为不同的半径后，计算每个区域的平均量和工程差，比较各个区域的相对应差值，进而通过差值表征晶圆形貌。但是上述方法均需要大量的参数以表征晶圆的形貌，难以直观有效的监控晶圆的形貌。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶圆检测方法及装置，直观反映出晶圆的形貌情况。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种晶圆检测方法，包括：

对待测晶圆的多个位置进行检测，得到所述待测晶圆的检测厚度；

利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度；

利用所述相似度表征所述待测晶圆的形貌。

可选的，所述基准厚度为基准晶圆的多个位置的厚度。

可选的，在所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度之前，还包括：

对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化。

可选的，所述对检测厚度进行归一化包括：

计算所述检测厚度平均值，根据所述检测厚度以及所述检测厚度的平均值，获得检测比值；

所述对基准厚度进行归一化包括：

计算所述基准厚度平均值，根据所述基准厚度以及所述基准厚度的平均值，获得基准比值；

则，所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度，包括：

利用豪斯多夫距离计算所述检测比值和所述基准比值的相似度。

可选的，在所述对所述检测厚度和所述基准厚度进行归一化之后，还包括：

将所述待测晶圆和所述基准晶圆进行降阶处理。

可选的，所述对待测晶圆进行降阶处理包括：

对所述待测晶圆进行分区，获取各个分区检测比值的平均值；

所述对基准晶圆进行降阶处理包括：

对所述基准晶圆进行分区，获取各个分区基准比值的平均值；

则，所述利用豪斯多夫距离计算所述检测厚度和基准厚度的相似度，包括：

利用豪斯多夫距离计算所述检测比值的平均值和所述基准比值的平均值的相似度；

其中，所述基准晶圆的分区区域与所述待测晶圆的分区区域对应。

可选的，所述基准晶圆和所述待测晶圆包括沿径向分布的7个分区，外侧的分区环绕内侧的分区。

一种晶圆检测装置，包括：