[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括依次设置的基底、遮光结构层、缓冲层、有源层、介电绝缘层和源漏极金属层。遮光结构层设置在基底上。遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层。第一遮光层的材料为第一金属氧化物。第二遮光层的材料为第一铜合金。其中，第一金属氧化物至少包括氧化铝。第一铜合金至少包括铜和铝。本申请解决了遮光层在基底上的附着力较差的技术问题。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

目前电视机等大型显示器正在往大型化、高画质和高功能化方向发展，显示器内部的金属配线也相应趋向于低面阻化。因此，以铜代替铝作为金属配线的制程技术已经成为未来的技术发展趋势。

通常情况下，阵列基板中的一些膜层如遮光层以铜为金属材料制备而得，由于铜在一些基底如玻璃基板或氧化硅基体上的附着力较差，进而大大降低了遮光层在基底上的附着力，致使遮光层易从基底上脱落，严重影响了遮光层的性能。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制备方法，以解决遮光层在基底上的附着力较差的技术问题。

本申请提供一种阵列基板，其包括：

基底；

遮光结构层，所述遮光结构层设置在所述基底上，所述遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层的材料为第一金属氧化物，所述第二遮光层的材料为第一铜合金；

缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光结构层上；

有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上；

介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述有源层上；以及

源漏极金属层，所述源漏极金属层设置在所述介电绝缘层上；

其中，所述第一金属氧化物至少包括氧化铝，所述第一铜合金至少包括铜和铝。

在本申请所述的阵列基板中，所述第一铜合金还包括镁，所述第一金属氧化物还包括氧化镁。

在本申请所述的阵列基板中，所述阵列基板还包括依次设置的栅极绝缘层和栅极结构层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，所述介电绝缘层设置在所述栅极结构层上；

所述栅极结构层包括依次设置的第一层和第二层，所述第一层的材料为第二金属氧化物，所述第二层的材料为第二铜合金；

其中，所述第二金属氧化物至少包括氧化铝，所述第二铜合金至少包括铜和铝。

在本申请所述的阵列基板中，所述第二铜合金还包括镁，所述第二金属氧化物还包括氧化镁。

在本申请所述的阵列基板中，所述第一遮光层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二遮光层的厚度介于2000埃-10000埃之间。

在本申请所述的阵列基板中，所述第一层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二层的厚度介于2000埃-10000埃之间。

本申请还提供一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底和一铜合金靶材，所述基底和所述铜合金靶材置于一腔体内，所述铜合金靶材至少包括铜和铝；

向所述腔体内通入氧气；

所述铜合金靶材中的铝粒子脱落，所述铝粒子和所述氧气反应生成氧化铝，所述氧化铝沉积在所述基底上以形成第一遮光层；

停止通入所述氧气，所述铜合金靶材中的铜粒子和铝粒子脱落，所述铜粒子和所述铝粒子沉积在所述第一遮光层上以形成第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层形成遮光结构层；