[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

遮光结构层，所述遮光结构层设置在所述基底上，所述遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层的材料为第一金属氧化物，所述第二遮光层的材料为第一铜合金，所述第一遮光层和所述第二遮光层采用一种包含铜和铝的靶材制备得到；所述包含铜和铝的靶材中，所述铜在所述靶材中的原子含量百分比为80％～95％，所述铝在所述靶材中的原子含量百分比为5％～20％；

缓冲层，所述缓冲层设置在所述遮光结构层上；

有源层，所述有源层设置在所述缓冲层上；

介电绝缘层，所述介电绝缘层设置在所述有源层上；以及

源漏极金属层，所述源漏极金属层设置在所述介电绝缘层上；

其中，所述第一金属氧化物至少包括氧化铝，所述第一铜合金至少包括铜和铝；所述第一遮光层的厚度介于50埃-300埃之间，所述第二遮光层的厚度介于2000埃-10000埃之间。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一铜合金还包括镁，所述第一金属氧化物还包括氧化镁。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次设置的栅极绝缘层和栅极结构层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，所述介电绝缘层设置在所述栅极结构层上；

所述栅极结构层包括依次设置的第一层和第二层，所述第一层的材料为第二金属氧化物，所述第二层的材料为第二铜合金；

其中，所述第二金属氧化物至少包括氧化铝，所述第二铜合金至少包括铜和铝。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二铜合金还包括镁，所述第二金属氧化物还包括氧化镁。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一层的厚度介于50埃-500埃之间，所述第二层的厚度介于2000埃-10000埃之间。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底和一铜合金靶材，所述基底和所述铜合金靶材置于一腔体内，所述铜合金靶材至少包括铜和铝，所述铜在所述铜合金靶材中的原子含量百分比为80％～95％，所述铝在所述铜合金靶材中的原子含量百分比为5％～20％；

向所述腔体内通入氧气；

所述铜合金靶材中的铝粒子脱落，所述铝粒子和所述氧气反应生成氧化铝，所述氧化铝沉积在所述基底上以形成第一遮光层；

停止通入所述氧气，所述铜合金靶材中的铜粒子和铝粒子脱落，所述铜粒子和所述铝粒子沉积在所述第一遮光层上以形成第二遮光层，所述第一遮光层和所述第二遮光层形成遮光结构层；所述第一遮光层的厚度介于50埃-300埃之间，所述第二遮光层的厚度介于2000埃-10000埃之间；

在所述遮光结构层上依次形成缓冲层、有源层、介电绝缘层和源漏极金属层。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述铜合金靶材还包括镁，在所述形成第一遮光层的步骤中，还包括：

所述铜合金靶材中的镁粒子脱落，所述镁粒子和所述氧气反应生成氧化镁，所述氧化镁和所述氧化铝共同沉积在所述基底上以形成所述第一遮光层。

8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述遮光结构层上形成所述有源层的步骤之后，还包括：

在所述有源层上形成栅极绝缘层；

所述铜合金靶材中的铝粒子脱落，所述铝粒子和所述氧气反应生成氧化铝，所述氧化铝沉积在所述栅极绝缘层上以形成第一层；

停止通入所述氧气，所述铜合金靶材中的铜粒子和铝粒子脱落，所述铜粒子和所述铝粒子沉积在所述第一层上以形成第二层，所述第一层和所述第二层形成栅极结构层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述铜合金靶材还包括镁，在所述形成第一层的步骤中，还包括：

所述铜合金靶材中的镁粒子脱落，所述镁粒子和所述氧气反应生成氧化镁，所述氧化镁和所述氧化铝共同沉积在所述栅极绝缘层上以形成所述第一层。