[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：第1芯片，包含第1衬底、设置在所述第1衬底的第1电路、及连接于所述第1电路的第1接合金属；

第2芯片，包含具有P型阱区域及N型阱区域的第2衬底、设置在所述第2衬底且包含第1晶体管的第2电路、以及连接于所述第2电路及所述第1接合金属的第2接合金属，且设置在所述第1芯片上；以及

第1导电体，从所述第2芯片的上方连接于所述N型阱区域；且

所述P型阱区域配置在所述第1晶体管的栅极电极与所述N型阱区域之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述N型阱区域不包围所述P型阱区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述N型阱区域不与所述第1衬底的设置着所述第1电路的面相接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述N型阱区域不与所述第1衬底的相对于设置着所述第1电路的面为相反侧的面相接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第2衬底包含分别对应于所述第1晶体管的漏极及源极的第1及第2N型半导体区域，且

所述N型阱区域与所述第1及第2N型半导体区域分离。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述N型阱区域包含第1扩散层、及所述第1扩散层上的第2扩散层，且

所述第2扩散层中的N型杂质浓度比所述第1扩散层中的N型杂质浓度高。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述N型阱区域含有磷或砷。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备所述第1导电体与所述第2衬底之间的第1绝缘体层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备：第2导电体，与所述第1导电体隔开且贯通所述第2衬底而设置；及所述第2导电体与所述第2衬底之间的第2绝缘体层；且

所述第2芯片还包含与所述第2导电体接触的接点。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其还具备所述第1导电体层上的焊垫。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中

所述焊垫含有铝。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1接合金属及所述第2接合金属分别含有铜。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1接合金属与所述第2接合金属之间接合。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1芯片还具备：多个第3导电体，在所述第1衬底的上方相互分离；及柱，贯通所述多个第3导电体而设置，且其与所述第3导电体的交叉部分作为存储单元发挥功能；且所述多个第3导电体中的1个第3导电体电连接于所述第1接合金属。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中

所述第2芯片还包含行解码器，所述行解码器设置在所述第2衬底并电连接于所述第2接合金属。

16.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在第1时刻，向所述栅极电极施加第1电压，向所述第1导电体施加高于所述第1电压的第2电压。