[发明专利]垂直存储器装置

说明书

提供了一种垂直存储器装置。该垂直存储器装置包括：栅电极，形成在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分隔开，栅电极包括第一栅电极和插置在第一栅电极与基底之间的第二栅电极；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；绝缘隔离图案，在第一方向上延伸穿过第一栅电极，并在与基底的上表面基本上平行的第二方向上将第一栅电极分开；以及阻挡图案，设置在每个栅电极的上表面、下表面和侧壁上，栅电极的侧壁面对沟道。绝缘隔离图案直接接触第一栅电极。

本申请要求于2019年7月31日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0092970号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

与实施例一致的方法和设备涉及垂直存储器装置。

背景技术

在制造VNAND快闪存储器装置的方法中，可以在基底上形成包括绝缘层和牺牲层的模块，可以形成延伸穿过模块的开口，可以通过开口将牺牲层去除以形成间隙，并且可以形成填充间隙的栅电极。然而，随着包括在模块中并在竖直方向上堆叠的牺牲层的数量的增大，模块的高宽比会增大，因此在形成开口之后模块可能会倾斜。

发明内容

示例实施例提供了具有改善的集成度的垂直存储器装置。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置包括：栅电极，形成在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分隔开，栅电极包括第一栅电极和插置在第一栅电极与基底之间的第二栅电极；沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极；绝缘隔离图案，在第一方向上延伸穿过第一栅电极，并在与基底的上表面基本上平行的第二方向上将第一栅电极分开；以及阻挡图案，设置在每个栅电极的上表面、下表面和侧壁上，栅电极的侧壁面对沟道。绝缘隔离图案直接接触第一栅电极。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置包括：沟道，在与基底的上表面基本上垂直的竖直方向上在基底上延伸，沟道包括多个部分，沟道的所述多个部分中的每个具有随着距基底的距离的增大而逐渐地增大的宽度，所述多个部分顺序地堆叠并彼此连接；栅电极，在竖直方向上在基底上彼此分隔开，每个栅电极在与基底的上表面基本上平行的水平方向上围绕沟道，并包括栅极导电图案和覆盖栅极导电图案的上表面、下表面和侧壁的栅极阻挡图案，栅极导电图案的侧壁面对沟道；以及绝缘隔离图案，延伸穿过第一栅电极和插置在基底与第一栅电极之间的至少一个栅电极，绝缘隔离图案在水平方向上将第一栅电极分开。第一栅电极围绕沟道的所述多个部分中的第一部分，沟道的所述多个部分中的其余部分插置在基底与第一部分之间。沟道的第一部分具有比沟道的所述多个部分中的其余部分中的每个的在竖直方向上的长度短的在竖直方向上的长度。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。垂直存储器装置包括：栅电极，设置在基底上且在与基底的上表面基本上垂直的第一方向上彼此分开；多条共源极线(CSL)，沿着与基底的上表面基本上平行的第二方向彼此分隔开，所述多条CSL中的每条在第一方向上延伸穿过每个栅电极并在与基底的上表面基本上平行且与第二方向交叉的第三方向上延伸；沟道，在所述多条CSL之中的两条相邻的CSL之间沿着第二方向和第三方向中的每个彼此分隔开，每个沟道在第一方向上延伸穿过栅电极；电荷存储结构，设置在每个沟道的外侧壁上，电荷存储结构包括顺序地堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案；垫，形成在每个沟道上；绝缘隔离图案，在第一方向上延伸穿过栅电极之中的第一栅极电极并与栅电极之中的第一栅极电极直接接触，并在第三方向上延伸以在第二方向上将第一栅电极分开，第一栅电极用作串选择线(SSL)且形成在栅电极之中的最上面的层处；第二阻挡图案，覆盖每个栅电极的上表面、下表面和侧壁，栅电极的侧壁面对沟道中的一个；以及多条位线，彼此分隔开并与垫电连接，所述多条位线中的每条在第二方向上延伸。